APT31N60BCSG全国供应商 APT31N60BCSG资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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价格
说明
操作

APT31N60BCSG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
45
APT
TO-247
08+
-
全新原装现货

APT31N60BCSG
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：86-755-8450174913760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
15
APT
TO-247
假一赔十！
-
绝对原装现货！

APT31N60BCSG
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
APTMICROSEMI
TO-247B
22+
-
十年配单，只做原装

APT31N60BCSG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
TO-247-3
17+
-
全新原装现货

APT31N60BCSG
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
APT
TO-247B
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

APT31N60BCSG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-247 [B]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 31A TO-247
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
CoolMOS™
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

APT31N60BCSG 技术参数

APT31M100L 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 32A TO264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 16A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:260nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8500pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 标准包装:1 APT31M100B2 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:380 毫欧 @ 16A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:260nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8500pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT30SCD65B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 46A Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 电流 - 平均整流（Io）:46A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:600μA @ 650V 不同?Vr，F 时的电容:945pF @ 1V, 1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT30SCD120S 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 99A (DC) Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:99A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 30A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:600μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:2100pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA 供应商器件封装:D3Pak 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT30SCD120B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 99A (DC) Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:99A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 30A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:600μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:2100pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT3216PBC/A APT3216QBC/D APT3216SECK APT3216SECK/J3-PRV APT3216SECK/J4-PRV APT3216SGC APT3216SRCPRV APT3216SURCK APT3216SYCK APT3216SYCK/J3-PRV APT3216VBC/D APT3216YC APT3216ZGC APT3216ZGCK APT32F120J APT32M80J APT33GF120B2RDQ2G APT33GF120BRG

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