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APT30GS60SRDQ2G

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  • APT30GS60SRDQ2G
    APT30GS60SRDQ2G

    APT30GS60SRDQ2G

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • D3 [S]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

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  • 1
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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全称
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode
APT30GS60SRDQ2G 技术参数
  • APT30GS60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 54A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):54A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):113A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.15V @ 15V,30A 功率 - 最大值:250W 开关能量:570μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:145nC 25°C 时 Td(开/关)值:16ns/360ns 测试条件:400V,30A,9.1 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):25ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30GS60BRDLG 功能描述:IGBT 600V 54A 250W TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:不適用於新設計 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):54A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):113A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.15V @ 15V,30A 功率 - 最大值:250W 开关能量:570μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:145nC 25°C 时 Td(开/关)值:16ns/360ns 测试条件:400V,30A,9.1 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT30GP60LDLG 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TO264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:不適用於新設計 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,30A 功率 - 最大值:463W 开关能量:260μJ(开),250μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:90nC 25°C 时 Td(开/关)值:13ns/55ns 测试条件:400V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 标准包装:1 APT30GP60JDQ1 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 67A 245W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):67A 功率 - 最大值:245W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,30A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):3.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT30GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,30A 功率 - 最大值:463W 开关能量:260μJ(开),250μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:90nC 25°C 时 Td(开/关)值:13ns/55ns 测试条件:400V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30M70BVRG APT30M70SVRG APT30M85BVFRG APT30M85BVRG APT30N60BC6 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG APT30S20SG APT30SCD120B APT30SCD120S APT30SCD65B APT31M100B2 APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT3216CGCK APT3216EC
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