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APT30M30B2LLG

配单专家企业名单
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  • APT30M30B2LLG
    APT30M30B2LLG

    APT30M30B2LLG

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • APTMICROSEMI

  • T-MAXB2

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • APT30M30B2LLG
    APT30M30B2LLG

    APT30M30B2LLG

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • APT

  • T-MAX

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!

  • APT30M30B2LLG
    APT30M30B2LLG

    APT30M30B2LLG

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • T-MAX?[B2]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

  • 1/1页 40条/页 共8条 
  • 1
APT30M30B2LLG PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MOSFET - MOS7 - Rail/Tube
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MOSFET TRANSISTOR
APT30M30B2LLG 技术参数
  • APT30M19JVR 功能描述:MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):300V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):130A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):975nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT30M19JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):300V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):130A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):975nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT30GT60KRG 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件 零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):64A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):110A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,30A 功率 - 最大值:250W 开关能量:525μJ(开),600μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:145nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/225ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT30GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):64A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):110A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,30A 功率 - 最大值:250W 开关能量:525μJ(开),600μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:145nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/225ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30GT60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):64A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):110A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,30A 功率 - 最大值:250W 开关能量:80μJ(开),605μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:7.5nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/225ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):22ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG APT30S20SG APT30SCD120B APT30SCD120S APT30SCD65B APT31M100B2 APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT3216CGCK APT3216EC APT3216LSECK/J3-PRV APT3216LSECK/J4-PRV APT3216LSYCK/J3-PRV APT3216LVBC/D APT3216LZGCK
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