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说明
操作

APTGT150A120D1
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
APT
08+/pb
-
假一罚十，百分百原装正品

APTGT150A120D1
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

APTGT150A120D1G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
D1
17+
-
全新原装现货

APTGT150A120D1
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
8000
isc,iscsemi
S94X34-5L
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APTGT150A120D1G
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
170
APT
150A/1200V/IGBT/2U
2024+
-
全新现货价格优势

APTGT150A120D1
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
APT
价格优势
17+
-
原装正品。优势供应

APTGT150A120D1
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
APT
价格优势
21+
-
只做原装正品

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制造商
ADPOW
制造商全称
Advanced Power Technology
功能描述
Phase leg Trench IGBT Power Module

APTGT150A120D1 技术参数

APTGT150A1202G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 220A 690W Chassis Mount SP2 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:690W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:10.7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP2 供应商器件封装:SP2 标准包装:1 APTGT100TL60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 150A 340W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三级反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT100TL170G 功能描述:PWR MOD IGBT 3LEVEL INVERTER SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三级反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:560W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT100TDU60PG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Triple, Dual - Common Source 600V 150A 340W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三，双 - 共源电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTGT100TA60PG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase 600V 150A 340W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三相电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTGT150DA120D1G APTGT150DA120G APTGT150DA120TG APTGT150DA170D1G APTGT150DA170G APTGT150DA60T1G APTGT150DA60TG APTGT150DH120G APTGT150DH170G APTGT150DH60TG APTGT150DU120G APTGT150DU120TG APTGT150DU170G APTGT150DU60TG APTGT150H120G APTGT150H170G APTGT150H60TG APTGT150SK120D1G

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