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APTGT150SK60T1

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  • APTGT150SK60T1G
    APTGT150SK60T1G

    APTGT150SK60T1G

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

  • APTGT150SK60T1G
    APTGT150SK60T1G

    APTGT150SK60T1G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人：朱先生

    电话：0755-82999903

    地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 17+

  • -

  • 瑞智芯 只有原装

  • APTGT150SK60T1G
    APTGT150SK60T1G

    APTGT150SK60T1G

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • SP1

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • APTGT150SK60T1
    APTGT150SK60T1

    APTGT150SK60T1

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：张小姐

    电话：15961889159

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 9000

  • isc,iscsemi

  • E51X40-12L

  • 2024+

  • -

  • 国产品牌，可替代原装

  • APTGT150SK60T1G
    APTGT150SK60T1G

    APTGT150SK60T1G

  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人：李瑞兵

    电话：18897698645

    地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Microsemi

  • 22+

  • -

  • 原装正品

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APTGT150SK60T1 技术参数
  • APTGT150SK170G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 250A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:250A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:13.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT150SK170D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 280A 780W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:280A 功率 - 最大值:780W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:13nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGT150SK120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 220A 690W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:690W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:10.7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT150SK120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 220A 690W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:690W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:10.7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT150SK120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 220A 700W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:700W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:10.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGT200A60T3AG APTGT200A60TG APTGT200DA120D3G APTGT200DA120G APTGT200DA170D3G APTGT200DA60T3AG APTGT200DA60TG APTGT200DH120G APTGT200DH60G APTGT200DU120G APTGT200DU60TG APTGT200H120G APTGT200H60G APTGT200SK120D3G APTGT200SK120G APTGT200SK170D3G APTGT200SK60T3AG APTGT200SK60TG
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