APTGT200U120D4G

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APTGT200U120D4G
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生13360533550
电话：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田区华富路航都大厦11F
资质：营业执照
11699
APT
MODULE
22+
-
原厂原装现货

APTGT200U120D4G
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
170
APT
200A/1200V/IGBT/1U
2024+
-
全新现货价格优势

APTGT200U120D4G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
98653
原厂
MODULE
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

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APTGT200U120D4G 技术参数

APTGT200TL60G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 300A 652W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三级反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300A 功率 - 最大值:652W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:12.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT200SK60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 290A 625W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:290A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:12.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT200SK60T3AG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 290A 750W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:290A 功率 - 最大值:750W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:12.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT200SK170D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 400A 1250W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:400A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:17nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D-3 模块供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGT200SK120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:280A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:14nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT225DU170G APTGT225SK170G APTGT25A120D1G APTGT25A120T1G APTGT25DA120D1G APTGT25H120T1G APTGT25SK120D1G APTGT25X120T3G APTGT300A120D3G APTGT300A120G APTGT300A170D3G APTGT300A170G APTGT300A60D3G APTGT300A60G APTGT300A60TG APTGT300DA120D3G APTGT300DA120G APTGT300DA170D3G