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AUIRFS4310ZPBF

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  • AUIRFS4310ZPBF
    AUIRFS4310ZPBF

    AUIRFS4310ZPBF

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • IR

  • TO-263

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

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  • 1
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AUIRFS4310ZPBF 技术参数
  • AUIRFS4310Z 功能描述:MOSFET N-CH 100V 127A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):170nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6860pF @ 50V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS4310TRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):250nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7670pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 AUIRFS4310 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):250nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7670pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS4127TRL 功能描述:MOSFET NCH 200V 72A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽车级,AEC-Q101,HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):72A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 44A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5380pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:* 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK(TO-263AB) 标准包装:800 AUIRFS4127 功能描述:MOSFET NCH 200V 72A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽车级,AEC-Q101,HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):72A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 44A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5380pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:* 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK(TO-263AB) 标准包装:50 AUIRFS8407 AUIRFS8407-7P AUIRFS8407-7TRL AUIRFS8407TRL AUIRFS8408 AUIRFS8408-7P AUIRFS8408-7TRL AUIRFS8409 AUIRFS8409-7P AUIRFS8409-7TRL AUIRFS8409TRL AUIRFSA8409-7P AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSL4115 AUIRFSL4310 AUIRFSL6535 AUIRFSL8403 AUIRFSL8405
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