参数资料
| 型号： | A10V20B-VQ80C |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 3/98页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 2K GATES 80-VQFP COM |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | ACT™ 1 |
| LAB/CLB数： | 547 |
| 输入/输出数： | 69 |
| 门数： | 2000 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 80-TQFP |
| 供应商设备封装： | 80-VQFP（14x14） |
第1页第2页当前第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页
11
Hi R e l F P GA s
P ack ag e Th er m a l Ch ar ac t e r i st i c s
The device junction to case thermal characteristic is
θ
jc, and
the junction to ambient air characteristic is
θ
ja. The thermal
characteristics for
θ
ja are shown with two different air flow
rates.
Maximum junction temperature is 150°C.
A sample calculation of the absolute maximum power
dissipation allowed for a CPGA 176-pin package at military
temperature is as follows:
P o w e r D i ss ip a t io n
Gener al P o w e r E quat i o n
P = [ICCstandby + ICCactive] * VCC + IOL * VOL * N +
IOH * (VCC – VOH) * M
where:
ICCstandby is the current flowing when no inputs or outputs
are changing.
ICCactive is the current flowing due to CMOS switching.
IOL, IOH are TTL sink/source currents.
VOL, VOH are TTL level output voltages.
N equals the number of outputs driving TTL loads to
VOL.
M equals the number of outputs driving TTL loads to
VOH.
Accurate values for N and M are difficult to determine
because they depend on the family type, on the design, and on
the system I/O. The power can be divided into two
components—static and active.
S tat i c P o w e r Co m ponen t
Actel FPGAs have small static power components that result
in power dissipation lower than that of PALs or PLDs. By
integrating multiple PALs or PLDs into one FPGA, an even
greater reduction in board-level power dissipation can be
achieved.
The power due to standby current is typically a small
component of the overall power. Standby power is calculated
below for commercial, worst-case conditions.
The static power dissipated by TTL loads depends on the
number of outputs driving high or low and the DC load
current. Again, this value is typically small. For instance, a
32-bit bus sinking 4 mA at 0.33V will generate 42 mW with all
outputs driving low, and 140 mW with all outputs driving high.
Ac ti v e P ower Com p o nent
Power dissipation in CMOS devices is usually dominated by
the active (dynamic) power dissipation. This component is
frequency dependent, a function of the logic and the external
I/O. Active power dissipation results from charging internal
chip capacitances of the interconnect, unprogrammed
antifuses, module inputs, and module outputs, plus external
capacitance due to PC board traces and load device inputs.
An additional component of the active power dissipation is
the totempole current in CMOS transistor pairs. The net
effect can be associated with an equivalent capacitance that
Package Type
Pin Count
θ
jc
θ
ja
Still Air
θ
ja
300 ft/min
Units
Ceramic Pin Grid Array
84
132
133
176
207
257
6.0
4.8
4.6
3.5
2.8
33
25
23
21
15
20
16
15
12
10
8
°C/W
Ceramic Quad Flat Pack
84
132
172
196
256
7.8
7.2
6.8
6.4
6.2
40
35
25
23
20
30
25
20
15
10
°C/W
Max. junction temp. (°C) – Max. military temp.
θ
ja (°C/W)
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
150°C – 125°C
23°C/W
------------------------------------
1.1 W
==
Family
ICC
VCC
Power
ACT 3
2 mA
5.25V
10.5 mW
1200XL/3200DX
2 mA
5.25V
10.5 mW
ACT 2
2 mA
5.25V
10.5 mW
ACT 1
3 mA
5.25V
15.8 mW
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A1020B-1VQG80C | IC FPGA 2K GATES 80-VQFP COM |
| FMC17DRYI-S734 | CONN EDGECARD 34POS DIP .100 SLD |
| ESC65DRYS-S734 | CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD |
| RSC31DTES | CONN EDGECARD 62POS .100 EYELET |
| 1982754-1 | KIT, COVER 120DEG, 64 POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| A10V20B-VQG80C | 功能描述:IC FPGA 2K GATES 80-VQFP COM RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:ACT™ 1 标准包装:40 系列:SX-A LAB/CLB数:6036 逻辑元件/单元数:- RAM 位总计:- 输入/输出数:360 门数:108000 电源电压:2.25 V ~ 5.25 V 安装类型:表面贴装 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:484-BGA 供应商设备封装:484-FPBGA（27X27） |
| A10XAF10XAF22K152A | 功能描述:JUMPER 10XAF-2S - 10XAF-2S 6" 制造商:jst sales america inc. 系列:XAF 零件状态:在售 连接器类型:插口至插口，反向 针脚数:10 排数:1 间距 - 连接器:0.098"（2.50mm） 间距 - 电缆:0.098"（2.50mm） 长度:0.500'（152.40mm，6.00"） 特性:- 颜色:黑色 屏蔽:- 使用:- 电缆端接:IDC 触头镀层:锡 触头镀层厚度:- 标准包装:1,000 |
| A10XAF10XAF22K152B | 功能描述:JUMPER 10XAF-2S - 10XAF-2S 6" 制造商:jst sales america inc. 系列:XAF 零件状态:在售 连接器类型:插口至插口 针脚数:10 排数:1 间距 - 连接器:0.098"（2.50mm） 间距 - 电缆:0.098"（2.50mm） 长度:0.500'（152.40mm，6.00"） 特性:- 颜色:黑色 屏蔽:- 使用:- 电缆端接:IDC 触头镀层:锡 触头镀层厚度:- 标准包装:1,000 |
| A10XAF10XAF22K305A | 功能描述:JUMPER 10XAF-2S - 10XAF-2S 12" 制造商:jst sales america inc. 系列:XAF 零件状态:在售 连接器类型:插口至插口，反向 针脚数:10 排数:1 间距 - 连接器:0.098"（2.50mm） 间距 - 电缆:0.098"（2.50mm） 长度:1.00'（304.80mm） 特性:- 颜色:黑色 屏蔽:- 使用:- 电缆端接:IDC 触头镀层:锡 触头镀层厚度:- 标准包装:1,000 |
| A10XAF10XAF22K305B | 功能描述:JUMPER 10XAF-2S - 10XAF-2S 12" 制造商:jst sales america inc. 系列:XAF 零件状态:在售 连接器类型:插口至插口 针脚数:10 排数:1 间距 - 连接器:0.098"（2.50mm） 间距 - 电缆:0.098"（2.50mm） 长度:1.00'（304.80mm） 特性:- 颜色:黑色 屏蔽:- 使用:- 电缆端接:IDC 触头镀层:锡 触头镀层厚度:- 标准包装:1,000 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。