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参数资料
| 型号： | A28F400BR-T |
| 厂商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 4-MBIT (256K x16) Boot Block Flash Memory(4兆位 (256K x16)引导块闪速存储器) |
| 中文描述： | 4兆位（256K × 16）引导块闪存（4兆位（256K × 16）引导块闪速存储器） |
| 文件页数： | 24/36页 |
| 文件大小： | 453K |
| 代理商： | A28F400BR-T |
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A28F400BR-T/B
E
24
ADVANCE INFORMATION
5.2
DC Characteristics
Table 10. DC Characteristics: Automotive Temperature Operation
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
I
IL
Input Load Current
1
± 5.0
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
IN
= V
CC
or GND
V
CC
= V
CC
Max
V
IN
= V
CC
or GND
V
CC
= V
CC
Max
CE# = RP# = BYTE#
= V
IH
V
CC
= V
CC
Max
CE# = RP# = WP# =
V
CC
± 0.2V
V
CC
= V
CC
Max
V
IN
= V
CC
or GND
RP# = GND ± 0.2V
CMOS
V
CC
= V
CC
Max
CE = V
IL
f = 10 MHz (5V)
5 MHz (3.3V)
I
OUT
= 0 mA
Inputs = GND ± 0.2V
or V
CC
± 0.2V
TTL
V
CC
= V
CC
Max
CE# = V
IL
f = 10 MHz
I
OUT
= 0 mA
Inputs = V
IL
or V
IH
V
PP
= V
PPH
1 (at 5V)
Program in
Progress
V
PP
= V
PPH
2 (at 12V)
Program in
Progress
I
LO
Output Leakage Current
1
± 10
μA
I
CCS
V
CC
Standby Current
1,3
0.8
2.5
mA
70
250
μA
I
CCD
V
CC
Deep Power-Down Current
1
0.2
105
μA
I
CCR
V
CC
Read Current for Word or
Byte
1,5,6
50
65
mA
55
70
mA
I
CCW
V
CC
Program Current for Word
or Byte
1,4
25
50
mA
20
45
mA
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