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参数资料
| 型号： | A28F400BR-T |
| 厂商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 4-MBIT (256K x16) Boot Block Flash Memory(4兆位 (256K x16)引导块闪速存储器) |
| 中文描述： | 4兆位（256K × 16）引导块闪存（4兆位（256K × 16）引导块闪速存储器） |
| 文件页数： | 33/36页 |
| 文件大小： | 453K |
| 代理商： | A28F400BR-T |
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E
A28F400BR-T/B
33
ADVANCE INFORMATION
ADDRESSES (A)
WE# (E)
OE# (G)
CE# (W)
DATA (D/Q)
RP# (P)
IH
V
IL
V
V
IH
IL
V
V
IH
IL
V
IH
V
IL
V
HH
V
V
6.5V
IL
V
IN
D
IN
A
IN
A
AVAV
t
IN
D
Valid
SRD
IN
D
QVPH
t
PHHEH
t
High Z
EHDX
t
IH
V
IL
V
V (V)
1
2
3
4
6
5
EHAX
t
EHQV1,2,3,4
t
EHEL
t
EHWH
t
ELEH
t
t
DVEH
VPEH
t
QVVL
t
PHWL
t
WLEL
t
AVEH
t
PPLK
V
PPH
V
1
2
PPH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
WP#
0538_13
NOTES:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
V
CC
Power-Up and Standby.
Write Program or Erase Setup Command.
Write Valid Address and Data (Program) or Erase Confirm Command.
Automated Program or Erase Delay.
Read Status Register Data.
Write Read Array Command.
Figure 12. Alternate AC Waveforms for Write and Erase Operations (CE#-Controlled Writes)
Table 15. AC Characteristics: Reset Timings
(1)
Symbol
Parameter
Notes
Min
Max
Unit
t
PLPH
Reset Pulse Duration
60
ns
t
PLQZ
RP# Low to Output in High Z
60
ns
NOTE:
Refer to Figure 13 for waveform.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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