参数资料
| 型号： | A3P1000L-1FGG484I |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 195/242页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1KB FLASH 1M 484-FBGA |
| 标准包装： | 40 |
| 系列： | ProASIC3L |
| RAM 位总计： | 147456 |
| 输入/输出数： | 300 |
| 门数： | 1000000 |
| 电源电压： | 1.14V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 484-BGA |
| 供应商设备封装： | 484-FPBGA（23x23） |
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ProASIC3L DC and Switching Characteristics
2-40
Revision 13
The length of time an I/O can withstand IOSH/IOSL events depends on the junction temperature. The
reliability data below is based on a 3.3 V, 12 mA I/O setting, which is the worst case for this type of
analysis.
For example, at 100°C, the short current condition would have to be sustained for more than six months
to cause a reliability concern. The I/O design does not contain any short circuit protection, but such
protection would only be needed in extremely prolonged stress conditions.
Table 2-42 I/O Short Currents IOSH/IOSL
Applicable to Standard Plus I/O Banks
Drive Strength
IOSL (mA)*
IOSH (mA)*
3.3 V LVTTL / 3.3 V
LVCMOS
2 mA
25
27
4 mA
25
27
6 mA
51
54
8 mA
51
54
12 mA
103
109
16 mA
103
109
3.3 V LVCMOS Wide Range
100 A
Same as regular 3.3 V LVCMOS Same as regular 3.3 V LVCMOS
2.5 V LVCMOS
2 mA
16
18
4 mA
16
18
6 mA
32
37
8 mA
32
37
12 mA
65
74
1.8 V LVCMOS
2 mA
9
11
4 mA
17
22
6 mA
35
44
8 mA
35
44
1.5 V LVCMOS
2 mA
13
16
4 mA
25
33
1.2 V LVCMOS
2 mA
20
26
1.2 V LVCMOS Wide Range
100 A
20
26
3.3 V PCI/PCI-X
Per PCI/PCI-X
specification
103
109
Note: TJ = 100°C
Table 2-43 Schmitt Trigger Input Hysteresis, Hysteresis Voltage Value (Typ) for Schmitt Mode Input Buffers
Input Buffer Configuration
Hysteresis Value (typ.)
3.3 V LVTTL/LVCMOS/PCI/PCI-X (Schmitt trigger mode)
240 mV
2.5 V LVCMOS (Schmitt trigger mode)
140 mV
1.8 V LVCMOS (Schmitt trigger mode)
80 mV
1.5 V LVCMOS (Schmitt trigger mode)
60 mV
1.2 V LVCMOS (Schmitt trigger mode)
40 mV
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