参数资料
| 型号： | A3P1000L-1FGG484I |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 224/242页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1KB FLASH 1M 484-FBGA |
| 标准包装： | 40 |
| 系列： | ProASIC3L |
| RAM 位总计： | 147456 |
| 输入/输出数： | 300 |
| 门数： | 1000000 |
| 电源电压： | 1.14V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 484-BGA |
| 供应商设备封装： | 484-FPBGA（23x23） |
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ProASIC3L DC and Switching Characteristics
2-66
Revision 13
Table 2-93 1.8 V LVCMOS Low Slew – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 1.7 V
Applicable to Advanced I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS
Units
2 mA
Std.
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6.10
5.99
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
Table 2-94 1.8 V LVCMOS High Slew – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 1.7 V
Applicable to Advanced I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
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tZLS
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3.12
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3.45
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Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
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