参数资料
| 型号： | A3P600-1FG144 |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 182/220页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1KB FLASH 600K 144-FBGA |
| 标准包装： | 160 |
| 系列： | ProASIC3 |
| RAM 位总计： | 110592 |
| 输入/输出数： | 97 |
| 门数： | 600000 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 144-LBGA |
| 供应商设备封装： | 144-FPBGA（13x13） |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页当前第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页第211页第212页第213页第214页第215页第216页第217页第218页第219页第220页
ProASIC3 DC and Switching Characteristics
2-50
Revision 13
Table 2-62 2.5 V LVCMOS High Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 2.3 V
Applicable to Standard Plus I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS
Units
4 mA
Std.
0.66
8.28
0.04
1.30
0.43
7.41
8.28
2.25
2.07
9.64
10.51
ns
–1
0.56
7.04
0.04
1.10
0.36
6.30
7.04
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1.76
8.20
8.94
ns
–2
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6.18
0.03
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0.32
5.53
6.18
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1.55
7.20
7.85
ns
6 mA
Std.
0.66
4.85
0.04
1.30
0.43
4.65
4.85
2.59
2.71
6.88
7.09
ns
–1
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4.13
0.04
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0.36
3.95
4.13
2.20
2.31
5.85
6.03
ns
–2
0.49
3.62
0.03
0.97
0.32
3.47
3.62
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2.02
5.14
5.29
ns
8 mA
Std.
0.66
4.85
0.04
1.30
0.43
4.65
4.85
2.59
2.71
6.88
7.09
ns
–1
0.56
4.13
0.04
1.10
0.36
3.95
4.13
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2.31
5.85
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ns
–2
0.49
3.62
0.03
0.97
0.32
3.47
3.62
1.93
2.02
5.14
5.29
ns
12 mA
Std.
0.66
3.21
0.04
1.30
0.43
3.27
3.14
2.82
3.11
5.50
5.38
ns
–1
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ns
–2
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0.97
0.32
2.44
2.35
2.11
2.32
4.11
4.02
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
Table 2-63 2.5 V LVCMOS Low Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 2.3 V
Applicable to Standard Plus I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS
Units
4 mA
Std.
0.66
10.84
0.04
1.30
0.43
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10.84
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12.87
13.08
ns
–1
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ns
6 mA
Std.
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2.22
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12 mA
Std.
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0.97
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4.11
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2.25
5.95
5.78
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
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