参数资料
| 型号： | A3PN250-VQ100I |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 40/114页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | ProASIC3 nano |
| RAM 位总计： | 36864 |
| 输入/输出数： | 68 |
| 门数： | 250000 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-TQFP |
| 供应商设备封装： | 100-VQFP（14x14） |
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ProASIC3 nano Flash FPGAs
Revision 11
2-17
Summary of I/O Timing Characteristics – Default I/O Software Settings
Table 2-16 Summary of AC Measuring Points
Standard
Measuring Trip Point (Vtrip)
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS
1.4 V
3.3 V LVCMOS Wide Range
1.4 V
2.5 V LVCMOS
1.2 V
1.8 V LVCMOS
0.90 V
1.5 V LVCMOS
0.75 V
Table 2-17 I/O AC Parameter Definitions
Parameter
Parameter Definition
tDP
Data to Pad delay through the Output Buffer
tPY
Pad to Data delay through the Input Buffer
tDOUT
Data to Output Buffer delay through the I/O interface
tEOUT
Enable to Output Buffer Tristate Control delay through the I/O interface
tDIN
Input Buffer to Data delay through the I/O interface
tHZ
Enable to Pad delay through the Output Buffer—HIGH to Z
tZH
Enable to Pad delay through the Output Buffer—Z to HIGH
tLZ
Enable to Pad delay through the Output Buffer—LOW to Z
tZL
Enable to Pad delay through the Output Buffer—Z to LOW
tZHS
Enable to Pad delay through the Output Buffer with delayed enable—Z to HIGH
tZLS
Enable to Pad delay through the Output Buffer with delayed enable—Z to LOW
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