参数资料
| 型号： | A3PN250-VQ100I |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 91/114页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | ProASIC3 nano |
| RAM 位总计： | 36864 |
| 输入/输出数： | 68 |
| 门数： | 250000 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-TQFP |
| 供应商设备封装： | 100-VQFP（14x14） |
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ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-64
Revision 11
Table 2-75 RAM512X18
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V
Parameter
Description
–2
–1
Std. Units
tAS
Address setup time
0.25 0.28 0.33
ns
tAH
Address hold time
0.00 0.00 0.00
ns
tENS
REN, WEN setup time
0.09 0.10 0.12
ns
tENH
REN, WEN hold time
0.06 0.07 0.08
ns
tDS
Input data (WD) setup time
0.18 0.21 0.25
ns
tDH
Input data (WD) hold time
0.00 0.00 0.00
ns
tCKQ1
Clock High to new data valid on RD (output retained)
2.16 2.46 2.89
ns
tCKQ2
Clock High to new data valid on RD (pipelined)
0.90 1.02 1.20
ns
tC2CRWH1 Address collision clk-to-clk delay for reliable read access after write on same
address; applicable to opening edge
0.50 0.43 0.38
ns
tC2CWRH1 Address collision clk-to-clk delay for reliable write access after read on same
address; applicable to opening edge
0.59 0.50 0.44
ns
tRSTBQ
RESET LOW to data out LOW on RD (flow-through)
0.92 1.05 1.23
ns
RESET LOW to data out LOW on RD (pipelined)
0.92 1.05 1.23
ns
tREMRSTB RESET removal
0.29 0.33 0.38
ns
tRECRSTB
RESET recovery
1.50 1.71 2.01
ns
tMPWRSTB RESET minimum pulse width
0.21 0.24 0.29
ns
tCYC
Clock cycle time
3.23 3.68 4.32
ns
FMAX
Maximum frequency
310
272
231 MHz
Notes:
1. For more information, refer to the application note Simultaneous Read-Write Operations in Dual-Port SRAM for Flash-
2. For specific junction temperature and voltage-supply levels, refer to Table 3-6 on page 3-4 for derating values.
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