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参数资料
| 型号： | AD5111BCPZ10-RL7 |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 18/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DGTL POT 128POS 10K 8LFCSP |
| 标准包装： | 1 |
| 接片： | 128 |
| 电阻（欧姆）： | 10k |
| 电路数： | 1 |
| 温度系数： | 标准值 35 ppm/°C |
| 存储器类型： | 非易失 |
| 接口： | 3 线串行（芯片选择，增/减） |
| 电源电压： | 2.3 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-UFDFN 裸露焊盘，CSP |
| 供应商设备封装： | 8-LFCSP-UD（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | AD5111BCPZ10-RL7DKR |
Data Sheet
AD5111/AD5113/AD5115
Rev. A | Page 3 of 24
SPECIFICATIONS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS—AD5111
10 kΩ and 80 kΩ versions: VDD = 2.3 V to 5.5 V, VA = VDD, VB = 0 V, 40°C < TA < +125°C, unless otherwise noted.
Table 2.
Parameter
Symbol
Test Conditions/Comments
Min
Max
Unit
DC CHARACTERISTICS—RHEOSTAT MODE
Resolution
N
7
Bits
Resistor Integral Nonlinearity2
R-INL
RAB= 10 kΩ, VDD = 2.3 V to 2.7 V
2.5
±0.5
+2.5
LSB
RAB= 10 kΩ, VDD = 2.7 V to 5.5 V
1
±0.25
+1
LSB
RAB = 80 kΩ
0.5
±0.1
+0.5
LSB
Resistor Differential Nonlinearity2
R-DNL
1
±0.25
+1
LSB
Nominal Resistor Tolerance
ΔRAB/RAB
8
+8
%
Resistance Temperature Coefficient3
(ΔRAB/RAB)/ΔT × 106
35
ppm/°C
Wiper Resistance
RW
Code = zero scale
70
140
Ω
RBS
Code = bottom scale
45
80
Ω
RTS
Code = top scale
70
140
Ω
DC CHARACTERISTICS—POTENTIOMETER
DIVIDER MODE
Integral Nonlinearity4
INL
0.5
±0.15
+0.5
LSB
Differential Nonlinearity4
DNL
0.5
±0.15
+0.5
LSB
Full-Scale Error
VWFSE
RAB = 10 kΩ
2.5
LSB
RAB = 80 kΩ
1.5
LSB
Zero-Scale Error
VWZSE
RAB = 10 kΩ
1.5
LSB
RAB = 80 kΩ
0.5
LSB
Voltage Divider Temperature Coefficient3
(ΔVW/VW)/ΔT × 106
Code = half scale
±10
ppm/°C
RESISTOR TERMINALS
RAB = 10 kΩ
6
+6
mA
RAB = 80 kΩ
1.5
+1.5
mA
Terminal Voltage Range5
GND
VDD
V
Capacitance A, Capacitance B3, 6
CA, CB
f = 1 MHz, measured to GND,
code = half scale
20
pF
Capacitance W3, 6
CW
f = 1 MHz, measured to GND,
code = half scale
35
pF
Common-Mode Leakage Current3
VA = VW = VB
500
±15
+500
nA
DIGITAL INPUTS
Input Logic3
High
VINH
2
V
Low
VINL
0.8
V
Input Current3
IN
±1
μA
Input Capacitance3
CIN
5
pF
POWER SUPPLIES
Single-Supply Power Range
2.3
5.5
V
Positive Supply Current
IDD
VIH = VDD or VIL = GND, VDD = 5 V
0.75
3.5
mA
VIH = VDD or VIL = GND, VDD = 2.7 V
2.5
mA
VIH = VDD or VIL = GND, VDD = 2.3 V
2.4
mA
EEMEM Store Current3, 7
IDD_NVM_STORE
2
mA
EEMEM Read Current3, 8
IDD_NVM_READ
320
μA
Power Dissipation9
PDISS
VIH = VDD or VIL = GND
5
μW
Power Supply Rejection3
PSR
VDD/VSS = 5 V ± 10%
RAB = 10 kΩ
50
dB
RAB = 80 kΩ
64
dB
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