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参数资料
| 型号： | AD5175BRMZ-10-RL7 |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 20/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DGTL POT 1024POS 10K 10MSOP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 接片： | 1024 |
| 电阻（欧姆）： | 10k |
| 电路数： | 1 |
| 温度系数： | 标准值 35 ppm/°C |
| 存储器类型： | 非易失 |
| 接口： | I²C |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V，±2.5 V ~ 2.75 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 10-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AD5175
Rev. A | Page 9 of 20
08
71
9-
0
31
VDD/VSS = 5V/0V
–50
–45
–35
–40
–30
–25
–20
–15
–10
–5
0
1
10M
1M
100k
10k
1k
100
10
GA
IN
(
d
B
)
FREQUENCY (Hz)
0x040
0x020
0x010
0x008
0x004
0x002
0x001
0x200
0x100
0x080
Figure 12. Bandwidth vs. Frequency vs. Code
T
HD
+
N
(
d
B)
08
71
9-
03
9
0
–120
–100
–80
–60
–40
–20
10
100
1k
10k
100k
FREQUENCY (Hz)
1M
VDD/VSS = ±2.5V
CODE = HALF SCALE
fIN = 1V rms
NOISE BW = 22kHz
Figure 13. THD + N vs. Frequency
08
71
9-
0
26
0
–100
–80
–60
–40
–20
0.001
0.01
0.1
1
T
HD
+
N
(
d
B)
AMPLITUDE (V rms)
10k
VDD/VSS = ±2.5V
CODE = HALF SCALE
fIN = 1kHz
NOISE BW = 22kHz
Figure 14. THD + N vs. Amplitude
–20
–25
–30
–35
–40
–45
–50
–55
–60
10
100
1M
100k
10k
1k
P
S
RR
(
d
B)
FREQUENCY (Hz)
VDD/VSS = 5V/0V
CODE = HALF SCALE
08
719
-02
4
Figure 15. PSRR vs. Frequency
4
5
6
7
8
VO
L
T
A
G
E
(V
)
TIME (Seconds)
0.07
0.09
0.11
0.13
0.15
0.17
08
71
9-
0
29
Figure 16. VEXT_CAP Waveform While Writing Fuse
20
–70
–60
–50
–40
–30
–20
–10
0
10
–2
4
2
0
GLIT
C
H
A
M
P
L
IT
U
D
E
(
m
V
)
TIME (s)
08
71
9-
10
2
VDD/VSS = ±2.5V
IAW = 200A
Figure 17. Maximum Glitch Energy
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| AD517JH | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:LOW IB, IOS, VOS OP AMP - Bulk |
| AD517K | 制造商:AD 制造商全称:Analog Devices 功能描述:Low Cost, Laser Trimmed, Precision IC Op Amp |
| AD517KH | 制造商:AD 制造商全称:Analog Devices 功能描述:Low Cost, Laser Trimmed, Precision IC Op Amp |
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