参数资料
| 型号： | AD648JNZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP BIFET 1MHZ DUAL LP 8DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 放大器类型： | J-FET |
| 电路数： | 2 |
| 转换速率： | 1.8 V/µs |
| 增益带宽积： | 1MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 5pA |
| 电压 - 输入偏移： | 750µV |
| 电流 - 电源： | 340µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 15mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 773 (CN2011-ZH PDF) |
AD648
REV. E
–6–
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TSW-123-06-T-S | CONN HEADER 23POS .100" SNGL TIN |
| TSW-123-05-T-S | CONN HEADER 23POS .100" SNGL TIN |
| BK/AGC-1/32 | FUSE 1/32A 250V FAST AGC GLASS |
| 9-146282-0-21 | CONN HDR BRKWAY .100 21POS VERT |
| 4-103741-0-21 | CONN HEADR BRKWAY .100 21POS STR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AD648JNZKL1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Analog Devices 功能描述: |
| AD648JR | 制造商:Analog Devices 功能描述:OP Amp Dual GP ±18V 8-Pin SOIC N 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:LOW POWER DUAL OP AMP IC - Bulk 制造商:Analog Devices 功能描述:IC OP-AMP DUAL BIFET |
| AD648JR-REEL | 制造商:Analog Devices 功能描述:OP Amp Dual GP ±18V 8-Pin SOIC N T/R |
| AD648JR-REEL7 | 制造商:Analog Devices 功能描述:OP Amp Dual GP ±18V 8-Pin SOIC N T/R |
| AD648JRZ | 功能描述:IC OPAMP BIFET 1MHZ DUAL 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 产品培训模块:Differential Circuit Design Techniques for Communication Applications 标准包装:1 系列:- 放大器类型:RF/IF 差分 电路数:1 输出类型:差分 转换速率:9800 V/µs 增益带宽积:- -3db带宽:2.9GHz 电流 - 输入偏压:3µA 电压 - 输入偏移:- 电流 - 电源:40mA 电流 - 输出 / 通道:- 电压 - 电源，单路/双路(±):3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘，CSP 供应商设备封装:16-LFCSP-VQ 包装:剪切带 (CT) 产品目录页面:551 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:ADL5561ACPZ-R7CT |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。