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参数资料
| 型号： | AD824AR-14-REEL |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 11/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP JFET R-R 2MHZ LP 14SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 放大器类型： | J-FET |
| 电路数： | 4 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 2 V/µs |
| 增益带宽积： | 2MHz |
| -3db带宽： | 2MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 4pA |
| 电压 - 输入偏移： | 500µV |
| 电流 - 电源： | 560µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 12mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 3 V ~ 30 V，±1.5 V ~ 15 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
REV. C
–4–
AD824–SPECIFICATIONS
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage
AD824A -3 V
VOS
0.2
1.0
mV
TMIN to TMAX
1.5
mV
Input Bias Current
IB
212
pA
TMIN to TMAX
250
4000
pA
Input Offset Current
IOS
210
pA
TMIN to TMAX
250
pA
Input Voltage Range
0
1
V
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
VCM = 0 V to 1 V
58
74
dB
TMIN to TMAX
56
dB
Input Impedance
10
13 3.3
W pF
Large Signal Voltage Gain
AVO
VO = 0.2 V to 2.0 V
RL = 2 k
W
10
20
V/mV
RL = 10 k
W
30
65
V/mV
RL = 100 k
W
180
500
V/mV
TMIN to TMAX, RL = 100 k
W
90
250
V/mV
Offset Voltage Drift
DVOS/DT2
mV/∞C
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High
VOH
ISOURCE = 20
mA
2.975
2.988
V
TMIN to TMAX
2.97
2.985
V
ISOURCE = 2.5 mA
2.8
2.85
V
TMIN to TMAX
2.75
2.82
V
Output Voltage Low
VOL
ISINK = 20
mA15
25
mV
TMIN to TMAX
20
30
mV
ISINK = 2.5 mA
120
150
mV
TMIN to TMAX
140
200
mV
Short Circuit Limit
ISC
Sink/Source
±8mA
ISC
Sink/Source, TMIN to TMAX
±6mA
Open-Loop Impedance
ZOUT
f = 1 MHz, AV = 1
100
W
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
VS = 2.7 V to 12 V,
70
dB
TMIN to TMAX
66
dB
Supply Current/Amplifier
ISY
VO = 0.2 V, TMIN to TMAX
500
600
mA
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
SR
RL =10 k
W, AV = 1
2
V/
ms
Full-Power Bandwidth
BWP
1% Distortion, VO = 2 V p-p
300
kHz
Settling Time
tS
VOUT = 0.2 V to 2.5 V, to 0.01%
2
ms
Gain Bandwidth Product
GBP
2
MHz
Phase Margin
fo50
Degrees
Channel Separation
CS
f = 1 kHz, RL = 2 k
W
–123
dB
NOISE PERFORMANCE
Voltage Noise
en p-p
0.1 Hz to 10 Hz
2
mV p-p
Voltage Noise Density
en
f = 1 kHz
16
nV/
÷Hz
Current Noise Density
in
0.8
fA/
÷Hz
Total Harmonic Distortion
THD
f = 10 kHz, RL = 0, AV = +1
0.01
%
(@ VS = 3.0 V, VCM = 0 V, VOUT = 0.2 V, TA = 25 C unless otherwise noted)
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