参数资料
型号: ADG1207YRUZ
厂商: Analog Devices Inc
文件页数: 5/20页
文件大小: 0K
描述: IC MULTIPLEXER DUAL 8X1 28TSSOP
产品培训模块: Switch Fundamentals
标准包装: 50
系列: iCMOS®
功能: 多路复用器
电路: 2 x 8:1
导通状态电阻: 475 欧姆
电压电源: 单/双电源
电压 - 电源,单路/双路(±): 12V,±15V
电流 - 电源: 260µA
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 28-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装: 28-TSSOP
包装: 管件
产品目录页面: 789 (CN2011-ZH PDF)
ADG1206/ADG1207
Rev. A | Page 13 of 20
TEMPERATURE (°C)
L
E
AKA
G
E
(
p
A)
400
–400
–300
–200
–100
0
100
200
300
020
40
100
60
80
120
0
61
19
-01
1
VDD = 12V
VSS = 0V
VBIAS = 1V/10V
IS (OFF) + –
ID (OFF) + –
IS (OFF) – +
ID (OFF) – +
ID, IS (ON )+ +
ID, IS (ON) – –
Figure 13. ADG1206 Leakage Currents as a Function of Temperature,
Single Supply
LOGIC, INX (V)
I DD
(
A
)
200
60
80
100
120
140
160
180
40
20
0
2
4
6
8
10121416
VDD = +12V
VSS = 0V
VDD = +15V
VSS = –15V
IDD PER CHANNEL
TA = 25°C
06
11
9-
01
2
Figure 14. IDD vs. Logic Level
VS (V)
CHA
RG
E
I
N
JE
CT
IO
N
(p
C)
1.0
0
–15
15
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
–10
–5
0
5
10
MUX (SOURCE TO DRAIN)
TA = 25°C
VDD = +15V
VSS = –15V
VDD = +5V
VSS = –5V
VDD = +12V
VSS = 0V
0
61
19
-01
3
Figure 15. Source-to-Drain Charge Injection vs. Source Voltage
VS (V)
CHA
RG
E
I
N
JE
CT
IO
N
(p
C)
6
–6
–15
15
–10
–5
0
5
10
DEMUX (DRAIN TO SOURCE)
TA = 25°C
4
2
0
–2
–4
VDD = +15V
VSS = –15V
VDD = +5V
VSS = –5V
VDD = +12V
VSS = 0V
0
61
19
-01
4
Figure 16. Drain-to-Source Charge Injection vs. Source Voltage
350
0
50
100
150
200
250
300
–40
–20
0
20
40
60
80
100
120
TIME
(ns
)
TEMPERATURE (°C)
VDD = +5V
VSS = –5V
VDD = +12V
VSS = 0V
VDD = +15V
VSS = –15V
06
11
9-
05
0
Figure 17. Transition Time vs. Temperature
FREQUENCY (Hz)
O
F
I
S
O
L
AT
IO
N
(
d
B)
0
–10
–20
–30
–40
–50
–60
–70
–80
–90
–100
–110
10k
100k
1M
10M
100M
1G
VDD = +15V
VSS = –15V
TA = 25°C
06
11
9-
0
16
Figure 18. Off Isolation vs. Frequency
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PIC18LF46K22-E/MV IC MCU 8BIT 64KB FLASH 40UQFN
ADG1206YRUZ IC MULTIPLEXER 16X1 28TSSOP
GRM2195C2A270JZ01D CAP CER 27PF 100V 5% NP0 0805
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