参数资料
| 型号： | ADM691SQ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 3/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SUPERVISOR MPU 4.65V 16CDIP |
| 标准包装： | 25 |
| 类型： | 备用电池电路 |
| 监视电压数目： | 1 |
| 输出： | 开路漏极，推挽式 |
| 复位： | 高有效/低有效 |
| 复位超时： | 最小为 35 ms |
| 电压 - 阀值： | 4.65V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 16-CDIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 16-CDIP |
| 包装： | 管件 |
ADM690–ADM695
Parameter
Min
Typ
Max
Units
Test Conditions/Comments
OSCILLATOR
OSC IN Input Current
OSC SEL Input Pull-Up Current
± 2
5
μ A
μ A
OSC IN Frequency Range
OSC IN Frequency with External Capacitor
0
4
250
kHz
kHz
OSC SEL = 0 V
OSC SEL = 0 V, C OSC = 47 pF
WDI is a three level input which is internally biased to 38% of V CC and has an input impedance of approximately 125 k ? .
NOTE
1
Specifications subject to change without notice.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*
(T A = +25 ° C unless otherwise noted)
ORDERING GUIDE
V CC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V to +6 V
V BATT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V to +6 V
All Other Inputs . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V to V OUT + 0.5 V
Input Current
V CC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200 mA
V BATT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 mA
GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 mA
Digital Output Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 mA
Power Dissipation, N-8 DIP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400 mW
θ JA Thermal Impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120 ° C/W
Power Dissipation, Q-8 DIP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500 mW
θ JA Thermal Impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125 ° C/W
Power Dissipation, N-16 DIP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600 mW
θ JA Thermal Impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135 ° C/W
Power Dissipation, Q-16 DIP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600 mW
θ JA Thermal Impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 ° C/W
Power Dissipation, R-16 SOIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600 mW
θ JA Thermal Impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110 ° C/W
Operating Temperature Range
Industrial (A Version) . . . . . . . . . . . . . . . . . –40 ° C to +85 ° C
Extended (S Version) . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 ° C to +125 ° C
Lead Temperature (Soldering, 10 secs) . . . . . . . . . . . . +300 ° C
Vapor Phase (60 secs) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +215 ° C
Infrared (15 secs) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +220 ° C
Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . –65 ° C to +150 ° C
Model
ADM690AN
ADM690AQ
ADM690SQ
ADM691AN
ADM691AR
ADM691AQ
ADM691SQ
ADM692AN
ADM692AQ
ADM692SQ
ADM693AN
ADM693AR
ADM693AQ
ADM693SQ
ADM694AN
ADM694AQ
ADM694SQ
ADM695AN
ADM695AR
ADM695AQ
ADM695SQ
Temperature Range
–40 ° C to +85 ° C
–40 ° C to +85 ° C
–55 ° C to +125 ° C
–40 ° C to +85 ° C
–40 ° C to +85 ° C
–40 ° C to +85 ° C
–55 ° C to +125 ° C
–40 ° C to +85 ° C
–40 ° C to +85 ° C
–55 ° C to +125 ° C
–40 ° C to +85 ° C
–40 ° C to +85 ° C
–40 ° C to +85 ° C
–55 ° C to +125 ° C
–40 ° C to +85 ° C
–40 ° C to +85 ° C
–55 ° C to +125 ° C
–40 ° C to +85 ° C
–40 ° C to +85 ° C
–40 ° C to +85 ° C
–55 ° C to +125 ° C
Package Option
N-8
Q-8
Q-8
N-16
R-16
Q-16
Q-16
N-8
Q-8
Q-8
N-16
R-16
Q-16
Q-16
N-8
Q-8
Q-8
N-16
R-16
Q-16
Q-16
*Stresses above those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause
permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those listed in the
operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum ratings for extended periods of time may affect device reliability.
CAUTION
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 V readily
accumulate on the human body and test equipment and can discharge without detection.
Although the ADM690–ADM695 features proprietary ESD protection circuitry, permanent
damage may occur on devices subjected to high energy electrostatic discharges. Therefore,
proper ESD precautions are recommended to avoid performance degradation or loss of
functionality.
WARNING!
ESD SENSITIVE DEVICE
REV. A
–3 –
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PDF描述 |
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