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参数资料
| 型号： | ADSP-BF514KBCZ-3 |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 15/68页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DSP 16/32B 300MHZ 168CSPBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | Blackfin® |
| 类型： | 定点 |
| 接口： | I²C，PPI，RSI，SPI，SPORT，UART/USART |
| 时钟速率： | 300MHz |
| 非易失内存： | 外部 |
| 芯片上RAM： | 116kB |
| 电压 - 输入/输出： | 1.8V，2.5V，3.3V |
| 电压 - 核心： | 1.30V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 168-LFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | 168-CSPBGA（12x12） |
| 包装： | 托盘 |
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Rev. B
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January 2011
ADSP-BF512/BF512F, BF514/BF514F, BF516/BF516F, BF518/BF518F
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Test Conditions
Min
Typical
Max
Unit
VOH
High Level Output Voltage
VDDEXT/VDDMEM= 1.7 V,
IOH =–0.5 mA
1.35
V
High Level Output Voltage
VDDEXT/VDDMEM= 2.25 V,
IOH =–0.5 mA
2V
High Level Output Voltage
VDDEXT/VDDMEM= 3.0 V,
IOH =–0.5 mA
2.4
V
VOL
Low Level Output Voltage
VDDEXT/VDDMEM=
1.7/2.25/3.0 V,
IOL =2.0 mA
0.4
V
IIH
1
High Level Input Current
VDDEXT/VDDMEM=3.6 V,
VIN =3.6 V
10
μA
IIL
Low Level Input Current
VDDEXT/VDDMEM=3.6 V, VIN = 0 V
10
μA
IIHP
2
High Level Input Current JTAG VDDEXT = 3.6 V, VIN = 3.6 V
75
μA
IOZH
3
Three-State Leakage Current
VDDEXT/VDDMEM= 3.6 V,
VIN =3.6 V
10
μA
IOZHTWI
4
Three-State Leakage Current
VDDEXT =3.0 V, VIN = 5.5 V
10
μA
IOZL
Three-State Leakage Current
VDDEXT/VDDMEM= 3.6 V, VIN = 0 V
10
μA
CIN
5, 6
Input Capacitance
fIN = 1 MHz, TAMBIENT = 25°C,
VIN =2.5 V
58
pF
CINTWI
Input Capacitance
fIN = 1 MHz, TAMBIENT = 25°C,
VIN =2.5 V
15
pF
IDDDEEPSLEEP
7
VDDINT Current in Deep Sleep
Mode
VDDINT = 1.3 V, fCCLK = 0 MHz,
fSCLK =0MHz, TJ = 25°C,
ASF = 0.00
2.1
mA
IDDSLEEP
VDDINT Current in Sleep Mode
VDDINT = 1.3 V, fSCLK = 25 MHz,
TJ = 25°C
5.5
mA
IDD-IDLE
VDDINT Current in Idle
VDDINT = 1.3 V, fCCLK = 50 MHz,
fSCLK =25MHz, TJ = 25°C,
ASF = 0.41
12
mA
IDD-TYP
VDDINT Current
VDDINT = 1.3 V, fCCLK = 300 MHz,
fSCLK =25MHz, TJ = 25°C,
ASF = 1.00
77
mA
IDD-TYP
VDDINT Current
VDDINT = 1.4 V, fCCLK = 400 MHz,
fSCLK =25MHz, TJ = 25°C,
ASF = 1.00
108
mA
IDDHIBERNATE
8
Hibernate State Current
VDDEXT=VDDMEM=VDDRTC =3.30
VVDDOTP=VPPOTP=2.5 V,
TJ = 25°C, CLKIN = 0 MHz @ TJ
= 25°C
40
μA
IDDRTC
VDDRTC Current
VDDRTC = 3.3 V, TJ = 25°C
20
μA
IDDSLEEP
8, 9
VDDINT Current in Sleep Mode
fCCLK = 0 MHz, fSCLK > 0 MHz
Table 13 +
(0.20 × VDDINT × fSCLK)
mA
10
IDDDEEPSLEEP
VDDINT Current in Deep Sleep
Mode
fCCLK = 0 MHz, fSCLK = 0 MHz
mA
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