参数资料
| 型号： | AGLN250V2-VQ100I |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 76/150页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA NANO 1KB 250K 100VQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | IGLOO nano |
| 逻辑元件/单元数： | 6144 |
| RAM 位总计： | 36864 |
| 输入/输出数： | 68 |
| 门数： | 250000 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-TQFP |
| 供应商设备封装： | 100-VQFP（14x14） |
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IGLOO nano Low Power Flash FPGAs
Revision 17
2-15
User I/O Characteristics
Timing Model
Figure 2-3 Timing Model
Operating Conditions: STD Speed, Commercial Temperature Range (TJ = 70°C), Worst-Case
VCC = 1.425 V, for DC 1.5 V Core Voltage, Applicable to V2 and V5 Devices
DQ
Y
DQ
Y
Combinational Cell
I/O Module
(Registered)
I/O Module
(Non-Registered)
Register Cell
I/O Module
(Registered)
I/O Module
(Non-Registered)
LVCMOS 2.5 V Output Drive
Strength = 8 mA High Slew Rate
Input LVCMOS 2.5 V
LVCMOS 1.5 V
LVTTL 3.3 V Output drive
strength = 8 mA High slew rate
Y
Combinational Cell
Y
Combinational Cell
Y
Combinational Cell
I/O Module
(Non-Registered)
LVTTLOutput drive strength = 8 mA
High slew rate
I/O Module
(Non-Registered)
LVCMOS 1.5 VOutput drive strength = 2 mA
High slew rate
LVTTLOutput drive strength = 4 mA
High slew rate
I/O Module
(Non-Registered)
Input LVTTL
Clock
Input LVTTL
Clock
Input LVTTL
Clock
tPD = 1.18 ns
tPD = 0.90 ns
tDP = 1.99 ns
tPD = 1.60 ns
tDP = 2.35 ns
tPD = 1.17 ns
tDP = 1.96 ns
tPD = 0.87 ns
tDP = 2.65 ns
tPD = 0.91 ns
tPY = 0.85 ns
tCLKQ = 0.89 ns
tOCLKQ = 1.00 ns
tSUD = 0.81 ns
tOSUD = 0.51 ns
tDP = 1.96 ns
tPY = 0.85 ns
tPY = 1.15 ns
tCLKQ = 0.89 ns
tSUD = 0.81 ns
tPY = 0.85 ns
tICLKQ = 0.42 ns
tISUD = 0.47 ns
tPY = 1.06 ns
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