参数资料
型号: AGLN250V2-VQ100I
厂商: Microsemi SoC
文件页数: 89/150页
文件大小: 0K
描述: IC FPGA NANO 1KB 250K 100VQFP
标准包装: 90
系列: IGLOO nano
逻辑元件/单元数: 6144
RAM 位总计: 36864
输入/输出数: 68
门数: 250000
电源电压: 1.14 V ~ 1.575 V
安装类型: 表面贴装
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-TQFP
供应商设备封装: 100-VQFP(14x14)
IGLOO nano Low Power Flash FPGAs
Revision 17
2-27
Timing Characteristics
Applies to 1.5 V DC Core Voltage
Table 2-36 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS Low Slew – Applies to 1.5 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Drive Strength
Speed Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
2 mA
STD
0.97
3.52 0.19 0.86
1.16
0.66
3.59 3.42 1.75 1.90
ns
4 mA
STD
0.97
3.52 0.19 0.86
1.16
0.66
3.59 3.42 1.75 1.90
ns
6 mA
STD
0.97
2.90 0.19 0.86
1.16
0.66
2.96 2.83 1.98 2.29
ns
8 mA
STD
0.97
2.90 0.19 0.86
1.16
0.66
2.96 2.83 1.98 2.29
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
Table 2-37 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS High Slew – Applies to 1.5 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Drive Strength
Speed Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
2 mA
STD
0.97
2.16 0.19 0.86
1.16
0.66
2.20 1.80 1.75 1.99
ns
4 mA
STD
0.97
2.16 0.19 0.86
1.16
0.66
2.20 1.80 1.75 1.99
ns
6 mA
STD
0.97
1.79 0.19 0.86
1.16
0.66
1.83 1.45 1.98 2.38
ns
8 mA
STD
0.97
1.79 0.19 0.86
1.16
0.66
1.83 1.45 1.98 2.38
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
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