参数资料
| 型号： | AGLN250V2-VQ100I |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 84/150页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA NANO 1KB 250K 100VQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | IGLOO nano |
| 逻辑元件/单元数： | 6144 |
| RAM 位总计： | 36864 |
| 输入/输出数： | 68 |
| 门数： | 250000 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-TQFP |
| 供应商设备封装： | 100-VQFP（14x14） |
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IGLOO nano Low Power Flash FPGAs
Revision 17
2-23
Detailed I/O DC Characteristics
Table 2-27 Input Capacitance
Symbol
Definition
Conditions
Min.
Max.
Units
CIN
Input capacitance
VIN = 0, f = 1.0 MHz
8
pF
CINCLK
Input capacitance on the clock pin
VIN = 0, f = 1.0 MHz
8
pF
Table 2-28 I/O Output Buffer Maximum Resistances 1
Standard
Drive Strength
RPULL-DOWN
(
)2
RPULL-UP
(
)3
3.3 V LVTTL / 3.3V LVCMOS
2 mA
100
300
4 mA
100
300
6 mA
50
150
8 mA
50
150
3.3 V LVCMOS Wide Range
100 A
Same as equivalent software default drive
2.5 V LVCMOS
2 mA
100
200
4 mA
100
200
6 mA
50
100
8 mA
50
100
1.8 V LVCMOS
2 mA
200
225
4 mA
100
112
1.5 V LVCMOS
2 mA
200
224
1.2 V LVCMOS 4
1 mA
315
1.2 V LVCMOS Wide Range 4
100 A
315
Notes:
1. These maximum values are provided for informational reasons only. Minimum output buffer resistance values depend
on VCCI, drive strength selection, temperature, and process. For board design considerations and detailed output buffer
resistances, use the corresponding IBIS models posted at http://www.microsemi.com/soc/download/ibis/default.aspx.
2. R(PULL-DOWN-MAX) = (VOLspec) / IOLspec
3. R(PULL-UP-MAX) = (VCCImax – VOHspec) / IOHspec
4. Applicable to IGLOO nano V2 devices operating at VCCI
VCC.
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