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参数资料
| 型号： | AGR09045EU |
| 厂商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 307K |
| 代理商： | AGR09045EU |
AGR09045E
45 W, 865 MHz—895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Package Dimensions
All dimensions are in inches. Tolerances are ±0.005 in. unless specified.
AGR09045EU
AGR09045EF
PINS:
1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
PINS:
1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
2
3
2
1
3
PEAK DEVICES
AGR09045EU
XXXX
1
2
3
PEAK DEVICES
AGR09045EF
XXXX
XXXX - 4 Digit Trace Code
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR19090EU | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR19090EF | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR19125EF | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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| AGR19180EF | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AGR09045WEF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR09070EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR09085E | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:85 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR09085EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR09085EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:85 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
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