参数资料
型号: AGR09180EF
厂商: TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件页数: 4/9页
文件大小: 407K
代理商: AGR09180EF
180 W, 865 MHz—895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
F
E
0
8
1
9
0
R
G
A
Typical Performance Characteristics
Note: Measured drain to drain and gate to gate, respectively.
Figure 3. Series Equivalent Input and Output Impedances
MHz (f)
ZS Ω
(
Complex Source Impedance)
ZL Ω
(Complex Optimum Load Impedance)
(f1)
0.7 –
4
.
2j
+
2
3
.
3
6
4
.
1j
(f2)
0.7 –
6
3
.
2j
+
4
3
.
3
4
5
.
1j
(f3)
0.7 –
8
2
.
2j
+
8
3
.
3
4
6
.
1j
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
-160
170
-170
180
±
90
-90
85
-85
80
75
70
65
60
55
50
45
40
35
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.35
0.36
0.37
0.38
0.39
0.4
0.41
0.42
0.43
0.44
0.45
0.46
0.47
7
0.48
0.49
0.0
>
W
A
V
E
L
E
N
G
T
H
S
T
O
W
A
R
D
G
E
N
E
R
A
T
O
R
>
W
A
V
E
L
E
N
G
T
H
S
T
O
W
A
R
D
L
O
A
D
<
IN
D
U
C
T
IV
E
R
EA
C
TA
N
C
E
C
O
M
PO
N
EN
T
(+
jX
/ Z
o)
, O
R
CA
PA
CI
TIV
E S
US
CE
PT
AN
CE
(+jB
/ Yo
)
TA
N
C
E
(-
jB
/
Y
o)
RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)
Z0 = 7 Ω
ZL
f1
f3
f1
f3
ZS
DUT
ZS
ZL
INPUT MATCH
OUTPUT MATCH
DRAIN (1)
SOURCE (3)
GATE (2)
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