参数资料
型号: AGR09180EF
厂商: TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件页数: 5/9页
文件大小: 407K
代理商: AGR09180EF
AGR09180EF
180 W, 865 MHz—895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
Test Conditions:
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1700 mA, TC = 30 °C, IS-95 CDMA PILOT, PAGING, SYNC, TRAFFIC CODES 8—13,
FREQUENCY = 880 MHz, OFFSET 1 = 750 kHz, 30 kHz BW, OFFSET 2 = 1.98 MHz, 30 kHz BW.
Figure 4. ACPR vs. POUT
Test Conditions:
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1700 mA, TC = 30 °C, WAVEFORM = CW.
Figure 5. Power Gain and Return Loss vs. Frequency
-80
-75
-70
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
3
8 13 18 23 28 33 38 43 48 53 58 63 68 73 78 83
POUT (W)ZZ
AC
PR
(d
Bc
)Z
ACP+
ACP-
ACP1+
ACP1-
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
860
865
870
875
880
885
890
895
900
FREQUENCY (MHz)Z
PO
W
ER
G
AI
N(
dB
)Z
-20.0
-18.0
-16.0
-14.0
-12.0
-10.0
-8.0
-6.0
-4.0
-2.0
0.0
IN
PU
T
RE
TU
RN
LO
SS
(d
B)
Z
POWER GAIN
POUT = 38 W
POUT = 220 W
RETURN LOSS
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