- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录48363 > AGR18060EF (TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC) L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AGR18060EF |
| 厂商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 9/9页 |
| 文件大小： | 397K |
| 代理商： | AGR18060EF |
E
0
6
0
8
1
R
G
A
60 W, 1805 MHz—1880 MHz, LDMOS RF Power Transistor
Package Dimensions
All dimensions are in inches. Tolerances are ±0.005 in. unless specified.
AGR18060EU
AGR18060EF
PINS:
1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
PINS:
1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
PEAK DEVICES
AGR18060EU
XXXX
1
3
2
1
2
PEAK DEVICES
AGR18060EF
XXXX
1
2
3
1
2
3
XXXX = 4 Digit Trace Code
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR18060EU | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR18125EF | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR18125EU | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR18125EU | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR18125EF | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AGR18060EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 1805 MHz-1880 MHz, LDMOS RF Power Transistor |
| AGR18090E | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:90 W, 1.805 GHz-1.880 GHz, LDMOS RF Power Transistor |
| AGR18090EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR18090EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:90 W, 1.805 GHz-1.880 GHz, LDMOS RF Power Transistor |
| AGR18125E | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 1.805 GHz-1.880 GHz, LDMOS RF Power Transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。