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参数资料
| 型号： | AGR21090EU |
| 厂商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 399K |
| 代理商： | AGR21090EU |
AGR21090E
90 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
Test Conditions:
VDD 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz.
Two-tone measurement, 10 MHz tone spacing.
Figure 4. Two-Tone Power Gain vs. Output Power and IDQ
Test Conditions:
VDD 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz.
Two-tone measurement, 10 MHz tone spacing.
Figure 5. IMD3 vs. Output Power and IDQ
11.50
12.00
12.50
13.00
13.50
14.00
14.50
15.00
15.50
16.00
16.50
1.00
10.00
100.00
POUT (W) PEPZ
G
PS
(d
B)
S
IDQ = 500 mA
IDQ = 650 mA
IDQ = 800 mA
IDQ = 950 mA
IDQ = 1100 mA
-70.00
-65.00
-60.00
-55.00
-50.00
-45.00
-40.00
-35.00
-30.00
-25.00
-20.00
1.00
10.00
100.00
1000.00
POUT (W) PEPZ
IM
D3
(d
Bc
)Z
IDQ = 500 mA
IDQ = 650 mA
IDQ = 950 mA
IDQ = 1100 mA
IDQ = 800 mA
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