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参数资料
| 型号： | AGR21180EF |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | FM-4 |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 227K |
| 代理商： | AGR21180EF |
6
Agere Systems Inc.
180 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
April 2004
AGR21180EF
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics (continued)
Test Conditions:
28 VDS, IDQ = 1600 mA, 2140 MHz.
Figure 6. Power Gain and Drain Efficiency vs. Output Power (CW signal data)
Test Conditions:
28 VDS, IDQ = 1600 mA.
F1 = 2135 MHz and F2 = 2145 MHz.
Figure 7. IM3, IM5, and IM7 vs. Output Power (2 CW signal data)
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1
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100
1000
POUT (W)
G
PS
(d
B
)
0
10
20
30
40
50
60
η
(%)
GPS
η
-100
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
1
10
100
1000
POUT (W, PEP)
IM3,
IM5,
AND
IM7
(
d
Bc
)Z
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
η
(%)
IM5
η
IM7
IM3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR21180EF | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AH118-89G | 60 MHz - 3500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| AH125-89G | 400 MHz - 3600 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| AH212-S8G | 1800 MHz - 2400 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| AH212-EG | 1800 MHz - 2400 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AGR21N090EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR26045EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR26125E | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR26125EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR26125EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
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