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参数资料
| 型号： | AGR21180EF |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | FM-4 |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 227K |
| 代理商： | AGR21180EF |
Agere Systems Inc.
7
Preliminary Data Sheet
AGR21180EF
April 2004
180 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
Test Conditions:
28 VDS, IDQ = 1200 mA to 2000 mA in 200 mA steps.
F1 = 2135 MHz and F2 = 2145 MHz.
Figure 8. IM3 vs. Output Power at 1200 mA to 2000 mA, 200 mA Steps (2 CW signal data)
Test Conditions:
28 VDS, IDQ = 1200 mA to 2000 mA in 200 mA steps.
F1 = 2135 MHz and F2 = 2145 MHz.
Figure 9. Power Gain vs. Output Power at 1200 mA to 2000 mA, 200 mA Steps (2 CW signal data)
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
1
10
100
1000
POUT (W, PEP)
IM3
(
d
Bc
)
2000 mA
1800 mA
1600 mA
1400 mA
1200 mA
11.5
12
12.5
13
13.5
14
14.5
15
1
10
100
1000
G
A
IN
(
d
B)
2000 mA
1800 mA
1600 mA
1400 mA
1200 mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR21180EF | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AH118-89G | 60 MHz - 3500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| AH125-89G | 400 MHz - 3600 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| AH212-S8G | 1800 MHz - 2400 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| AH212-EG | 1800 MHz - 2400 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AGR21N090EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR26045EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR26125E | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR26125EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR26125EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
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