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参数资料
| 型号： | ALD1103 |
| 厂商： | Advanced Linear Devices, Inc. |
| 英文描述： | JT 21C 21#16 SKT GRND PLUG |
| 中文描述： | 双N沟道和双P沟道MOSFET的一对匹配 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | ALD1103 |
ALD1103
Advanced Linear Devices
5
DIFFERENTIAL AMPLIFIER
CURRENT SOURCE MULTIPLICATION
CURRENT SOURCE MIRROR
CURRENT SOURCE WITH GATE CONTROL
TYPICAL APPLICATIONS
ISET
RSET
Q3
V+ = +5V
I SOURCE
Q1, Q2: N - Channel MOSFET
Q3, Q4: P - Channel MOSFET
I SOURCE = ISET
= V+ -Vt
RSET
=
4
RSET
~
Q1
Q2
V+ = +5V
Q4
ALD1103
V+
PMOS PAIR
Q4
VOUT
VIN-
NMOS PAIR
Q2
Q1
VIN+
Current
Source
Q3
Q1, Q2: N - Channel MOSFET
Q3, Q4: P - Channel MOSFET
ALD1103
QSET, Q1..QN: ALD 1101 or ALD 1103
N - Channel MOSFET
ISET
V+ = +5V
ISOURCE = ISET x N
RSET
Q2
Q3
QSET
Q1
QN
V+ = +5V
Q4
ISOURCE
RSET
Q1
Q3
ISET
ON
OFF
Digital Logic Control
of Current Source
Q1
: N - Channel MOSFET
Q3,Q4 : P - Channel MOSFET
1/2 ALD1103
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ALD1103SB | 功能描述:MOSFET Dual P&N-Ch. Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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