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参数资料
| 型号： | ALD1106SBL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 4N-CH 13.2V QUAD 14SOIC |
| 标准包装： | 56 |
| FET 型： | 4 N 通道（半桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1013 |
PDIP-14 PACKAGE DRAWING
14 Pin Plastic DIP Package
Millimeters
Inches
Dim
Min
Max
Min
Max
E
E1
A
A 1
A 2
b
b 1
c
D-14
E
E 1
3.81
0.38
1.27
0.89
0.38
0.20
17.27
5.59
7.62
5.08
1.27
2.03
1.65
0.51
0.30
19.30
7.11
8.26
0.105
0.015
0.050
0.035
0.015
0.008
0.680
0.220
0.300
0.200
0.050
0.080
0.065
0.020
0.012
0.760
0.280
0.325
S
D
e
e 1
2.29
7.37
2.79
7.87
0.090
0.290
0.110
0.310
A 2
A 1
A
L
L
S-14
?
2.79
1.02
0 °
3.81
2.03
15 °
0.110
0.040
0 °
0.150
0.080
15 °
c
b
b 1
e 1
?
e
ALD1106/ALD1116
Advanced Linear Devices
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ALD1107SBL | MOSFET 4P-CH 13.2V QUAD 14SOIC |
| ALD110800ASCL | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC |
| ALD110802PCL | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ALD1107 | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL P-CHANNEL MATCHED MOSFET ARRAY |
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| ALD1107DB | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL P-CHANNEL MATCHED MOSFET ARRAY |
| ALD1107PB | 功能描述:MOSFET Quad P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1107PBL | 功能描述:MOSFET Quad P-Channel Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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