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参数资料
| 型号： | ALD1106SBL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 4N-CH 13.2V QUAD 14SOIC |
| 标准包装： | 56 |
| FET 型： | 4 N 通道（半桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1013 |
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Drain-source voltage, V DS
Gate-source voltage, V GS
Power dissipation
10.6V
10.6V
500mW
Operating temperature range
SAL, PAL, SBL, PBL packages
0 ° C to +70 ° C
DA, DB packages
Storage temperature range
Lead temperature, 10 seconds
CAUTION: ESD Sensitive Device. Use static control procedures in ESD controlled environment.
OPERATING ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T A = 25 ° C unless otherwise specified
-55 ° C to +125 ° C
-65 ° C to +150 ° C
+260 ° C
ALD1106
ALD1116
Test
Parameter
Gate Threshold
Symbol
V T
Min
0.4
Typ
0.7
Max
1.0
Min
0.4
Typ
0.7
Max
1.0
Unit
V
Conditions
I DS = 1.0 μ A V GS = V DS
Voltage
Offset Voltage
V OS
2
10
2
10
mV
I DS = 10 μ A V GS = V DS
V GS1 -V GS2
Gate Threshold
Temperature
TC VT
-1.2
-1.2
mV/ ° C
Drift 2
On Drain
I DS (ON)
3.0
4.8
3.0
4.8
mA
V GS = V DS = 5V
Current
Transconductance
Mismatch
Output
G IS
? G fs
G OS
1.0
1.8
0.5
200
1.0
1.8
0.5
200
mmho V DS = 5V I DS = 10mA
%
μ mho
V DS = 5V I DS = 10mA
Conductance
Drain Source R DS (ON)
350
500
350
500
?
V DS = 0.1V V GS = 5V
On Resistance
Drain Source
On Resistence
? DS (ON)
0.5
0.5
%
V DS = 0.1V V GS = 5V
Mismatch
Drain Source
Breakdown
BV DSS
12
12
V
I DS = 1.0 μ A V GS = 0V
Voltage
Off Drain
I DS (OFF)
10
400
10
400
pA
V DS =12V V GS = 0V
Current 1
4
4
nA
T A = 125 ° C
Gate Leakage
I GSS
0.1
10
0.1
10
pA
V DS = 0V V GS = 12V
Current
1
1
nA
T A = 125 ° C
Input
C ISS
1
3
1
3
pF
Capacitance 2
Notes:
1
2
Consists of junction leakage currents
Sample tested parameters
ALD1106/ALD1116
Advanced Linear Devices
2 of 11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ALD1107SBL | MOSFET 4P-CH 13.2V QUAD 14SOIC |
| ALD110800ASCL | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC |
| ALD110802PCL | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP |
| ALD110804PCL | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ALD1107 | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL P-CHANNEL MATCHED MOSFET ARRAY |
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| ALD1107DB | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL P-CHANNEL MATCHED MOSFET ARRAY |
| ALD1107PB | 功能描述:MOSFET Quad P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1107PBL | 功能描述:MOSFET Quad P-Channel Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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