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参数资料
| 型号： | ALD1106SBL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 4N-CH 13.2V QUAD 14SOIC |
| 标准包装： | 56 |
| FET 型： | 4 N 通道（半桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1013 |
PDIP-8 PACKAGE DRAWING
8 Pin Plastic DIP Package
Millimeters
Inches
S
D
E
A2
A 1
A
L
E1
Dim
A
A 1
A 2
b
b 1
c
D-8
E
E 1
e
e 1
Min
3.81
0.38
1.27
0.89
0.38
0.20
9.40
5.59
7.62
2.29
7.37
Max
5.08
1.27
2.03
1.65
0.51
0.30
11.68
7.11
8.26
2.79
7.87
Min
0.105
0.015
0.050
0.035
0.015
0.008
0.370
0.220
0.300
0.090
0.290
Max
0.200
0.050
0.080
0.065
0.020
0.012
0.460
0.280
0.325
0.110
0.310
b
b 1
e
L
S-8
?
2.79
1.02
0 °
3.81
2.03
15 °
0.110
0.040
0 °
0.150
0.080
15 °
c
e 1
?
ALD1106/ALD1116
Advanced Linear Devices
7 of 11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ALD1107SBL | MOSFET 4P-CH 13.2V QUAD 14SOIC |
| ALD110800ASCL | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC |
| ALD110802PCL | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP |
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| ALD110808PCL | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ALD1107 | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL P-CHANNEL MATCHED MOSFET ARRAY |
| ALD1107_12 | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL P-CHANNEL MATCHED PAIR MOSFET ARRAY |
| ALD1107DB | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL P-CHANNEL MATCHED MOSFET ARRAY |
| ALD1107PB | 功能描述:MOSFET Quad P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1107PBL | 功能描述:MOSFET Quad P-Channel Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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