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参数资料
| 型号： | ALD1117SAL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 11/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 13.2V 2MA 8SOIC |
| 产品目录绘图： | 8-Pin SOIC Package |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1800 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1049 |
CERDIP-14 PACKAGE DRAWING
14 Pin CERDIP Package
Millimeters
Inches
Dim
Min
Max
Min
Max
D
E E 1
A
A 1
b
b 1
C
D-14
E
E 1
3.55
1.27
0.97
0.36
0.20
--
5.59
7.73
5.08
2.16
1.65
0.58
0.38
19.94
7.87
8.26
0.140
0.050
0.038
0.014
0.008
--
0.220
0.290
0.200
0.085
0.065
0.023
0.015
0.785
0.310
0.325
e
2.54 BSC
0.100 BSC
s
A 1
e 1
7.62 BSC
0.300 BSC
A
L
3.81
5.08
0.150
0.200
L
b
e
L 2
b 1
L 1
L 1
L 2
S
?
3.18
0.38
--
0 °
--
1.78
2.49
15 °
0.125
0.015
--
0 °
--
0.070
0.098
15 °
C
e 1
?
ALD1107/ALD1117
Advanced Linear Devices
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DC22.2111.111 | POWER ENTRY MOD W FILTER 2A |
| A12JP | SW TOGGLE SPDT STRAIGHT PCB |
| 425F11A028M6363 | CRYSTAL 28.63636 MHZ 10PF SMD |
| JWL21BC2A-A | SWITCH ROCKER DPST 16A 125V |
| B15AB | SW TOGGLE SPDT .4VA STR BRKT ESD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ALD111910MAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD111910PAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD111910SAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD111933 | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY |
| ALD111933MAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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