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参数资料
| 型号： | ALD1117SAL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 13.2V 2MA 8SOIC |
| 产品目录绘图： | 8-Pin SOIC Package |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1800 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1049 |
PDIP-8 PACKAGE DRAWING
8 Pin Plastic DIP Package
Millimeters
Inches
S
D
E
A2
A 1
A
L
E1
Dim
A
A 1
A 2
b
b 1
c
D-8
E
E 1
e
e 1
Min
3.81
0.38
1.27
0.89
0.38
0.20
9.40
5.59
7.62
2.29
7.37
Max
5.08
1.27
2.03
1.65
0.51
0.30
11.68
7.11
8.26
2.79
7.87
Min
0.105
0.015
0.050
0.035
0.015
0.008
0.370
0.220
0.300
0.090
0.290
Max
0.200
0.050
0.080
0.065
0.020
0.012
0.460
0.280
0.325
0.110
0.310
b
b 1
e
L
S-8
?
2.79
1.02
0 °
3.81
2.03
15 °
0.110
0.040
0 °
0.150
0.080
15 °
c
e 1
?
ALD1107/ALD1117
Advanced Linear Devices
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DC22.2111.111 | POWER ENTRY MOD W FILTER 2A |
| A12JP | SW TOGGLE SPDT STRAIGHT PCB |
| 425F11A028M6363 | CRYSTAL 28.63636 MHZ 10PF SMD |
| JWL21BC2A-A | SWITCH ROCKER DPST 16A 125V |
| B15AB | SW TOGGLE SPDT .4VA STR BRKT ESD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ALD111910MAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD111910PAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD111910SAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD111933 | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY |
| ALD111933MAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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