参数资料
型号: ALD114904ASAL
厂商: Advanced Linear Devices Inc
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC
产品目录绘图: 8-Pin SOIC Package
标准包装: 50
系列: EPAD®
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 耗尽模式
漏极至源极电压(Vdss): 10.6V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 500 欧姆 @ 3.6V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 380mV @ 1µA
功率 - 最大: 500mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
其它名称: 1014-1062
SOIC-8 PACKAGE DRAWING
8 Pin Plastic SOIC Package
E
Millimeters
Inches
Dim
A
Min
1.35
Max
1.75
Min
0.053
Max
0.069
S (45 ° )
D
A 1
b
C
D-8
E
0.10
0.35
0.18
4.69
3.50
0.25
0.45
0.25
5.00
4.05
0.004
0.014
0.007
0.185
0.140
0.010
0.018
0.010
0.196
0.160
e
1.27 BSC
0.050 BSC
H
5.70
6.30
0.224
0.248
A
L
?
0.60
0 °
0.937
8 °
0.024
0 °
0.037
8 °
e
A 1
S
0.25
0.50
0.010
0.020
b
S (45 ° )
L
H
C
?
ALD114804/ALD114804A/ALD114904/ALD114904A
Advanced Linear Devices
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PDF描述
FXO-PC525-165.165 OSC 165.165 MHZ 2.5V PECL SMD
B32926E3685M CAP FILM 6.8UF 310VAC RADIAL
B32669B6305K FILM CAP 3.0000UF 10% 400VAC
B32652A3824J FILM CAP 0.82UF 5% 250V MKP
4303.5031 MOD PWR ENTRY 3POS SW 1A PNL MNT
相关代理商/技术参数
参数描述
ALD114904PA 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL N-CHANNEL DEPLETION MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY
ALD114904PAL 功能描述:MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ALD114904SA 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL N-CHANNEL DEPLETION MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY
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ALD114913 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL N-CHANNEL DEPLETION MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAYS