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参数资料
| 型号： | ALD114904ASAL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC |
| 产品目录绘图： | 8-Pin SOIC Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | EPAD® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 10.6V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 欧姆 @ 3.6V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 380mV @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1062 |
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS (cont.)
5
DRAIN SOURCE ON CURRENT, BIAS
CURRENT vs. AMBIENT TEMPERATURE
100
DRAIN SOURCE ON CURRENT, BIAS
CURRENT vs. AMBIENT TEMPERATURE
Zero Temperature
4
3
2
1
-55 ° C
-25 ° C
0 ° C
50
Coefficient (ZTC)
125 ° C
- 25 ° C
0
70 ° C
125 ° C
0
V GS(TH) V GS(TH)
V GS(TH)
V GS(TH)
V GS(TH)
V GS(TH)
VGS(TH)-1
VGS(TH)
VGS(TH)+1 VGS(TH)+2 VGS(TH)+3 VGS(TH)+4
+0.0
+0.2
+0.4
+0.6
+0.8
+1.0
GATE AND DRAIN SOURCE VOLTAGE
(VGS = VDS) (V)
DRAIN-SOURCE ON CURRENT vs. ON RESISTANCE
GATE AND DRAIN SOURCE VOLTAGE
(VGS = VDS) (V)
GATE SOURCE VOLTAGE vs. DRAIN
100000
V GS(TH) +4
D
SOURCE ON CURRENT
V DS
10000
VDS=+10V
T A = 25 ° C
VGS=-4.0V to +5.4V
V GS(TH) +3
V GS
I DS(ON)
V DS = 0.5V
T A = +125 ° C
1000
V GS(TH) +2
S
100
10
1
0.1
0.01
VDS=+0.1V
VDS=+5V
VDS=+1V
V GS(TH) +1
V GS(TH)
V GS(TH) -1
V DS = 0.5V
T A = +25 ° C
V DS = 5V
T A = +125 ° C
V DS = 5V
T A = +25 ° C
V DS = R ON ? I DS(ON)
0.1
1
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
1000
10000
5
ON RESISTANCE (K ? )
DRAIN SOURCE ON CURRENT vs.
OUTPUT VOLTAGE
4
DRAIN SOURCE ON CURRENT ( μ A)
OFFSET VOLTAGE vs.
AMBIENT TEMPERATURE
4
TA = 25 ° C
3
REPRESENTATIVE UNITS
3
2
1
0
VDS = +10V
VDS = +5V
VDS = +1V
2
1
0
-1
-2
-3
-4
VGS(TH)
VGS(TH)+1 VGS(TH)+2 VGS(TH)+3 VGS(TH)+4 VGS(TH)+5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
600
OUTPUT VOLTAGE (V)
GATE LEAKAGE CURRENT
vs. AMBIENT TEMPERATURE
VGS(TH)+4
AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
GATE SOURCE VOLTAGE
vs. ON - RESISTANCE
500
D
V DS
400
VGS(TH)+3
+125 ° C
V GS
I DS(ON)
300
200
I GSS
VGS(TH)+2
VGS(TH)+1
+25 ° C
S
0.0V ≤ V DS ≤ 5.0V
100
0
VGS(TH)
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0.1
1
10
100
1000
10000
AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
ON - RESISTANCE (K ? )
ALD114804/ALD114804A/ALD114904/ALD114904A
Advanced Linear Devices
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-PC525-165.165 | OSC 165.165 MHZ 2.5V PECL SMD |
| B32926E3685M | CAP FILM 6.8UF 310VAC RADIAL |
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| 4303.5031 | MOD PWR ENTRY 3POS SW 1A PNL MNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ALD114904PA | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL N-CHANNEL DEPLETION MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY |
| ALD114904PAL | 功能描述:MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD114904SA | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL N-CHANNEL DEPLETION MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY |
| ALD114904SAL | 功能描述:MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD114913 | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL N-CHANNEL DEPLETION MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAYS |
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