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参数资料
| 型号： | AM1214-200 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | HERMETIC SEALED, M205, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 19K |
| 代理商： | AM1214-200 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AM1214-250 | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| AM1214-300 | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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| AM1215-67N | 制造商:WALL 制造商全称:Wall Industries,Inc. 功能描述:This economically priced converter is perfect for low power applications |
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