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参数资料
| 型号： | AM28F010-70JEB |
| 厂商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 128K X 8 FLASH 12V PROM, 70 ns, PQCC32 |
| 封装： | PLASTIC, LCC-32 |
| 文件页数： | 25/35页 |
| 文件大小： | 492K |
| 代理商： | AM28F010-70JEB |
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Am28F010
25
Figure 5.
Am28F010—Average I
CC
Active vs. Frequency
V
CC
= 5.5 V, Addressing Pattern = Minmax
Data Pattern = Checkerboar
TEST CONDITIONS
Table 6.
Test Specifications
I
C
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Frequency in MHz
11559G-13
55
°
C
0
°
C
25
°
C
70
°
C
125
°
C
2.7 k
C
L
6.2 k
5.0 V
Device
Under
Test
11559H-14
Figure 6.
Test Setup
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Test Condition
-70
All others
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
≤
10
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
0.45–2.4
V
Input timing measurement
reference levels
1.5
0.8, 2.0
V
Output timing measurement
reference levels
1.5
0.8, 2.0
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM28F010-70JI | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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| AM28F010-70PE | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| AM28F010-70JI | 制造商:AMD 制造商全称:Advanced Micro Devices 功能描述:1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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