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参数资料
| 型号： | Am29F400BT-90SIB |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（512亩x 8-Bit/256亩x 16位），5.0伏的CMOS只引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 27/37页 |
| 文件大小： | 238K |
| 代理商： | AM29F400BT-90SIB |
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Am29F400B
27
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
-55
-60
-70
-90
-120
-150
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
55
60
70
90
120
150
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
45
50
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
25
30
30
45
50
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
30
35
35
45
50
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation
(Note 2)
Byte
Typ
7
μs
Word
Typ
12
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1
sec
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 1)
Min
50
μs
t
RB
Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY#
Delay
Min
30
30
30
35
50
55
ns
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PDF描述 |
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