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参数资料
| 型号： | AM80912-015 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 0.310 X 0.310 INCH, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, S064, IMPAC-2 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 191K |
| 代理商： | AM80912-015 |
March 1994
AVIONICS APPLICATIONS
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
.310 x .310 2LFL (S064)
hermetically sealed
.
REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
.
EMITTER SITE BALLASTED
.∞
:1 VSWR CAPABILITY
.
LOW THERMAL RESISTANCE
.
INPUT MATCHING
.
METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE
.
POUT
= 15 W MIN. WITH 8.1 dB GAIN
.
BANDWIDTH 255 MHz
DESCRIPTION
The AM80912-015 is designed for specialized
avionics applications, including JTIDS, where
power is provided under pulse formats utilizing
short pulse widths and high burst or overall duty
cycles.
The AM80912-015 is housed in the unique
IMPAC Hermetic Metal/Ceramic package with
PIN CONNECTION
BRANDING
80912-15
ORDER CODE
AM80912-015
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)
Symbol
Parameter
Value
Unit
PDISS
Power Dissipation*(TC
≤ 100C)
50
W
IC
Device Current*
1.8
A
VCC
Collector-Supply Voltage*
32
V
TJ
Junction Temperature (Pulsed RF Operation)
250
°C
TSTG
Storage Temperature
65 to +200
°C
RTH(j-c)
Junction-Case Thermal Resistance*
3.0
°C/W
*Applies only to rated RF amplifier operation
AM80912-015
1. Collector
3. Emitter
2. Base
4. Base
THERMAL DATA
1/6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM80912-015 | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
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| AM81214-030 | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| AM81719-040 | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| AM82731-001 | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AM80912-030 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:AVIONICS APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS |
| AM80912-085 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:AVIONICS APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS |
| AM80A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Analog IC |
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