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参数资料
| 型号： | AMMC-5024-W10 |
| 元件分类： | 放大器 |
| 英文描述： | 0.03 MHz - 40000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| 封装： | 0.0925 X 0.0413 INCH, 0.004 INCH HEIGHT, DIE |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 361K |
| 代理商： | AMMC-5024-W10 |
2
AMMC-5024 DC Specifications/Physical Properties [1]
Symbol
Parameters and Test Conditions
Units
Min.
Typ.
Max.
Idss
SaturatedDrainCurrent(Vdd=7V,Vg1=0V,Vg2=opencircuit)
mA
265
350
385
Vp
FirstGatePinch-offVoltage(Vdd=7V,Idd=30mA,Vg2=opencircuit)
V
-8.2
Vg2
SecondGateSelf-biasVoltage(Vdd=7V,Idd=200mA,Vg2=opencircuit) V
2.75
Idsmin
FirstGateMinimumDrainCurrent
mA
47
(Vg1)
(Vdd=7V,Vg1=-7V,Vg2=opencircuit)
Idsmin
SecondGateMinimumDrainCurrent
mA
105
(Vg2)
(Vdd=7V,Vg1=0V,Vg2= -3.5V)
θch-b
ThermalResistance[2](Backsidetemperature,Tb=25°C)
°C/W
16.2
RF Specifications for High Gain and Low Power Applications [2,3] (Vdd=4V, Idd(Q)=160 mA, Zin=Zo=50Ω)
Symbol
Parameters and Test Conditions
Units
Min.
Typ.
Max.
|S21|2
Small-signalGain
dB
17.5
|S21|2
Small-signalGainFlatness
dB
±1.5
RLin
MinimumInputReturnLoss
dB
13
RLout
MinimumOutputReturnLoss
dB
13
|S12|2
Isolation
dB
30
P-1dB
OutputPower@1dBGainCompression
f=22GHz
dBm
17.3
Psat
SaturatedOutputPower
f=22GHz
dBm
20.5
OIP3
Output3rdOrderInterceptPoint,
dBm
22.5
Rfin1=Rfin2=2dBm, f=22GHz,f=2MHz
NF
NoiseFigure
f=26GHz
dB
3.7
f=40GHz
dB
5.5
Notes:
1. BacksidetemperatureTb=25°Cunlessotherwisenoted.
2. ChanneltoboardThermalResistanceismeasuredusingQFImethod.
3. 100%on-waferRFtestisdoneatfrequency=2,10,20,30and40GHz,exceptasnoted.
RF Specifications for High Power Applications [2,3] (Vdd=7V, Idd(Q)=200 mA, Zin=Zo=50Ω
Symbol
Parameters and Test Conditions
Units
Min.
Typ.
Max.
|S21|2
Small-signalGain
dB
14
16
18
|S21|2
Small-signalGainFlatness
dB
±0.75
±2
RLin
InputReturnLoss
dB
12
16.9
RLout
OutputReturnLoss
dB
10
16.8
|S12|2
Isolation
dB
26
28
P-1dB
OutputPower@1dBGainCompression
f=22GHz
dBm
21
22.5
Psat
SaturatedOutputPower
f=22GHz
dBm
23
24.5
OIP3
Output3rdOrderInterceptPoint,
dBm
27
30
Rfin1=Rfin2=2dBm, f=22GHz,f=2MHz
NF
NoiseFigure(Vds=3V,Ids=140mA)
f=26GHz
dB
4.6
6.5
f=40GHz
dB
7.2
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AMMC-5024 | 0.03 MHz - 40000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| AMMC-5024 | 0.03 MHz - 40000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| AMMC-5026 | 2000 MHz - 35000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| AMMC-5026 | 2000 MHz - 35000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| AMMC-5033-W10 | 17700 MHz - 32000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AMMC-5024-W50 | 功能描述:射频放大器 Amplifier GaAs MMIC TWA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| AMMC-5025-W10 | 功能描述:射频放大器 Amplifier GaAs MMIC TWA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| AMMC-5025-W50 | 功能描述:射频放大器 Amplifier GaAs MMIC TWA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| AMMC-5026 | 制造商:AVAGO 制造商全称:AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 功能描述:2-35 GHz GaAs MMIC Traveling Wave Amplifier |
| AMMC-5026_08 | 制造商:AVAGO 制造商全称:AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 功能描述:2-35 GHz GaAs MMIC Traveling Wave Amplifier |
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