参数资料
| 型号： | AMP02FSZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP INST PREC LDRIFT 16SOIC |
| 标准包装： | 47 |
| 放大器类型： | 仪表 |
| 电路数： | 1 |
| 转换速率： | 6 V/µs |
| -3db带宽： | 1.2MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 4nA |
| 电压 - 输入偏移： | 40µV |
| 电流 - 电源： | 5mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 32mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 771 (CN2011-ZH PDF) |
REV. E
–6–
AMP02
FREQUENCY – Hz
VO
LTA
GE
GAIN
–
d
B
80
1k
100k
1M
10M
40
0
–20
–40
TA = 25 C
VS = 15V
10k
60
20
G = 1000
G = 100
G = 10
G = 1
TPC 10. Closed-Loop Voltage
Gain vs. Frequency
FREQUENCY – Hz
PO
WER
SUPPL
Y
REJECTION
–
dB
1
10k
100k
0
TA = 25 C
VS = 15V
VS = 1V
100
20
40
60
80
100
120
140
1k
10
G = 1
G = 10
G = 1000
G = 100
TPC 13. Positive PSR vs. Frequency
FREQUENCY – Hz
VO
LTA
G
E
NOISE
DENSITY
–
nV/
Hz
1
10k
100k
0
TA = 25 C
VS = 15V
G = 1000
100
10
20
30
40
50
60
70
1k
10
TPC 16. Voltage Noise Density
vs. Frequency
FREQUENCY – Hz
COMMON-MODE
REJECTION
–
dB
1
100
1k
100k
0
TA = 25 C
VS = 15V
VCM = 2V p-p
10
G = 1000
G = 100
G = 10
G = 1
20
40
60
80
100
120
140
10k
TPC 11. Common-Mode Rejection
vs. Frequency
FREQUENCY – Hz
PO
WER
SUPPL
Y
REJECTION
–
dB
1
10k
100k
0
TA = 25 C
VS = 15V
VS = 1V
100
20
40
60
80
100
120
140
1k
10
G = 1
G = 10
G = 1000
G = 100
TPC 14. Negative PSR vs. Frequency
VOLTAGE GAIN – G
VO
LTA
G
E
NOISE
–
nV/
Hz
1
100
1k
1
TA = 25 C
VS = 15V
f = 1kHz
10
100
1k
TPC 17. RTI Voltage Noise
Density vs. Gain
VOLTAGE GAIN – G
COMMON-MODE
REJECTION
–
dB
1
100
1k
70
TA = 25 C
VS = 15V
10
80
90
100
110
120
130
140
TPC 12. Common-Mode Rejection
vs. Voltage Gain
FREQUENCY – Hz
TO
TA
L
HARMONIC
DIST
O
R
T
ION
–
%
10
1k
10k
0.01
TA = 25 C
VS = 15V
RL = 600
VOUT = 20V p-p
100
0.010
0.100
1.000
G = 100
G = 1
G = 10
TPC 15. Total Harmonic Distortion
vs. Frequency
TIME – S
1s
100mV
NOISE
V
O
L
T
A
GE
–
200nV/DIV
TPC 18. 0.1 Hz to 10 Hz Noise
AV = 1000
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参数描述 |
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