- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录375330 > AO3413 (ALPHA) Circular Connector; No. of Contacts:12; Series:MS27656; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:15; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle RoHS Compliant: No PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AO3413 |
| 厂商： | ALPHA |
| 元件分类： | 圆形连接器 |
| 英文描述： | Circular Connector; No. of Contacts:12; Series:MS27656; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:15; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle RoHS Compliant: No |
| 中文描述： | 的P -沟道增强型场效应晶体管 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 222K |
| 代理商： | AO3413 |
AO3413
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
5
10
15
0
1
2
-V
DS
(Volts)
3
4
5
Fig 1: On-Region Characteristics
-
D
V
GS
=-1.5V
-2.0V
-2.5V
-4.5V
-8V
-3.0V
0
2
4
6
0
0.5
1
1.5
2
-V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-
D
(
25°C
125°C
V
DS
=-5V
50
100
150
200
0
2
4
6
-I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
)
V
GS
=-1.8V
V
GS
=-2.5V
V
GS
=-4.5V
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-
S
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=-2.5V
V
GS
=-1.8V
V
GS
=-4.5V
50
100
150
200
0
2
4
6
8
-V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
I
D
=-4A
25°C
125°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO3414 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO3414L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO3420 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO3420L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO3421 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO3413_10 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:20V P-Channel MOSFET |
| AO3413L | 制造商:AOS 功能描述:MOSFET |
| AO3414 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AO3414_10 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:20V N-Channel MOSFET |
| AO3414L | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。