- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录375330 > AO4400 (ALPHA) LJT 55C 55#22D PIN RECP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AO4400 |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | LJT 55C 55#22D PIN RECP |
| 中文描述： | 的P -沟道增强型场效应晶体管 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 359K |
| 代理商： | AO4400 |
θ
E
h
L
θ
aaa
b
c
D
E1
e
A
A1
A2
SYMBOLS
0.050 BSC
0.50
1.27
0.10
8°
0.10
5.00
4.00
6.20
0.51
0.25
1.55
5.80
0.25
0.40
0°
1.27 BSC
0.19
4.80
3.80
1.45
0.00
0.33
1.50
1.45
0.228
0.010
0.016
0°
0.057
0.000
0.007
0.189
0.013
0.150
0.059
0.057
0.244
0.020
0.050
0.004
8°
0.010
0.197
0.157
0.061
0.004
0.020
DIMENSIONS IN INCHES
MIN
NOM
DIMENSIONS IN MILLIMETERS
MIN
NOM
MAX
MAX
SO-8 Package Data
NOTE:
1. LEAD FINISH: 150 MICROINCHES ( 3.8 um) MIN.
THICKNESS OF Tin/Lead (SOLDER) PLATED ON LEAD
2. TOLERANCE ±0.100 mm (4 mil) UNLESS OTHERWISE
SPECIFIED
3. COPLANARITY : 0.1000 mm
4. DIMENSION L IS MEASURED IN GAGE PLANE
RECOMMENDED LAND PATTERN
PACKAGE MARKING DESCRIPTION
NOTE:
LG - AOS LOGO
PARTN - PART NUMBER CODE.
F - FAB LOCATION
A - ASSEMBLY LOCATION
Y - YEAR CODE
W - WEEK CODE.
L N - ASSEMBLY LOT CODE
SO-8 PART NO. CODE
PART NO.
AO4400
AO4401
CODE
4400
4401
4800
4801
CODE
AO4800
AO4801
PART NO.
4700
4701
CODE
AO4700
AO4701
PART NO.
UNIT: mm
ALPHA & OMEGA
SEMICONDUCTOR, INC.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4401 | LJT 55C 55#22D SKT RECP |
| AO4403 | LJT 8C 8#16 SKT RECP |
| AO4404A | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4404AL | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4404B | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4401 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4402 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 20A 8SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AO4403 | 功能描述:MOSFET P-CH -30V -6.1A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AO4403_11 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AO4403L | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:46 毫欧 @ 6.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1128pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。