- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录375330 > AO4401 (ALPHA) LJT 55C 55#22D SKT RECP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AO4401 |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | LJT 55C 55#22D SKT RECP |
| 中文描述： | 的P -沟道增强型场效应晶体管 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 359K |
| 代理商： | AO4401 |
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
31
59
16
Max
40
75
24
R
θ
JL
W
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
±12
-6.1
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
-30
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Maximum
Units
V
V
Parameter
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
-5.1
-60
3
2.1
Power Dissipation
A
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
P
D
°C
-55 to 150
I
D
AO4401
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
July 2001
Features
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -6.1 A
R
DS(ON)
< 46m
(V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 61m
(V
GS
= -4.5V)
R
DS(ON)
< 117m
(V
GS
= -2.5V)
General Description
The AO4401 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and
operation with gate voltages as low as 2.5V. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.
SOIC-8
Top View
G
D
S
G
S
S
S
D
D
D
D
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4403 | LJT 8C 8#16 SKT RECP |
| AO4404A | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4404AL | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4404B | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4404 | Circular Connector; No. of Contacts:26; Series:MS27656; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:17; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:17-26 RoHS Compliant: No |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4402 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 20A 8SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AO4403 | 功能描述:MOSFET P-CH -30V -6.1A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AO4403_11 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AO4403L | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:46 毫欧 @ 6.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1128pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
| AO4404 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。