- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录375330 > AO4401 (ALPHA) LJT 55C 55#22D SKT RECP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AO4401 |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | LJT 55C 55#22D SKT RECP |
| 中文描述： | 的P -沟道增强型场效应晶体管 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 359K |
| 代理商： | AO4401 |
AO4401
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
-
D
V
GS
=-2V
-2.5V
-3V
-4.5V
-10V
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-
D
(
20
40
60
80
100
120
0.00
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
-I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
)
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-
S
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=-2.5V
V
GS
=-10V
V
GS
=-4.5V
10
30
50
70
90
110
130
150
170
190
0
2
4
6
8
10
-V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=-5V
V
GS
=-2.5V
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-10V
I
D
=-2A
25°C
125°C
I
D
=-2A
I
D
=-5A
Alpha and Omega Semiconductor, Ltd.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4403 | LJT 8C 8#16 SKT RECP |
| AO4404A | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4404AL | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4404B | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4404 | Circular Connector; No. of Contacts:26; Series:MS27656; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:17; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:17-26 RoHS Compliant: No |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4402 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 20A 8SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AO4403 | 功能描述:MOSFET P-CH -30V -6.1A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AO4403_11 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AO4403L | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:46 毫欧 @ 6.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1128pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
| AO4404 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。